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Optical generation in semiconductor-device analysis, a general purpose implementation 1-gen-1991 Verzellesi, Giovanni; M. C., Vecchi; M., Zen; M., Rudan
A new experimental technique for extracting base resistance and characterizing current crowding phenomena in bipolar transistors 1-gen-1992 Verzellesi, Giovanni; L., Vendrame; R., Turetta; Pavan, Paolo; A., Chantre; A., Marty; M., Cavone; R., Rivoir; E., Zanoni
Measurements and simulation of avalanche breakdown in advanced Si bipolar transistors 1-gen-1992 E., Zanoni; E. F., Crabbe; J. M. C., Stork; Pavan, Paolo; Verzellesi, Giovanni; L., Vendrame; Canali, Claudio
On the electro-optical characteristics of CMOS compatible photodiodes 1-gen-1992 Soncini, G.; Zen, M.; Rudan, M.; Verzellesi, G.
Extraction of DC base parasitic resistance of bipolar transistors based on impact-ionization-induced base current reversal 1-gen-1993 Verzellesi, Giovanni; R., Turetta; Pavan, Paolo; A., Collini; A., Chantre; A., Marty; Canali, Claudio; E., Zanoni
DEGRADATION OF SILICON AC-COUPLED MICROSTRIP DETECTORS INDUCED BY RADIATION 1-gen-1993 Bacchetta, N; Bisello, D; Canali, Claudio; Fuochi, Pg; Gotra, Y; Paccagnella, A; Verzellesi, Giovanni
Prediction of impact-ionization-induced snap-back in advanced Si n-p-n BJTs by means of a non-local analytical model for the avalanche multiplication factor 1-gen-1993 Verzellesi, Giovanni; Baccarani, G.; Canali, Claudio; Pavan, Paolo; Vendrame, L.; Zanoni, E.
Extension of impact-ionization multiplication coefficient measurements to high electric fields in advanced Si BJTs 1-gen-1993 E., Zanoni; Ef, Crabbe; Jmc, Stork; Pavan, Paolo; Verzellesi, Giovanni; L., Vendrame; Canali, Claudio
RADIATION TOLERANCE OF THE FOXFET BIASING SCHEME FOR AC-COUPLED SI MICROSTRIP DETECTORS 1-gen-1993 Bacchetta, N; Bisello, D; Canali, Claudio; DA ROS, R; Fuochi, Pg; Fusaro, G; Giraldo, A; Gotra, Y; Paccagnella, A; Verzellesi, Giovanni
New method for extracting collector series resistance of bipolar transistors 1-gen-1993 Verzellesi, Giovanni; Turetta, R.; Cappellin, M.; Pavan, Paolo; Chantre, A.; Zanoni, E.
Impact-ionization effects in advanced Si bipolar transistors 1-gen-1993 Verzellesi, Giovanni; Pavan, Paolo; E., Zanoni; Canali, Claudio
A compact method for measuring parasitic resistances in bipolar transistors 1-gen-1993 Verzellesi, Giovanni; A., Chantre; R., Turetta; M., Cappellin; Pavan, Paolo; E., Zanoni
A physics-based, accurate SPICE model of impact-ionization effects in bipolar transistors 1-gen-1994 E., Zanoni; A., Dal Fabbro; L., Vendrame; Verzellesi, Giovanni; G., Meneghesso; Pavan, Paolo; A., Chantre
Punch-through behaviour of FOXFET biased detectors 1-gen-1994 Bacchetta, N.; Bisello, D.; Da Ros, R.; Giraldo, A.; Gotra, Yu.; Paccagnella, A.; Verzellesi, G.
Punch-through characteristics of FOXFET biased detectors 1-gen-1994 Bacchetta, N.; Bisello, D.; Da Ros, R.; Giraldo, A.; Gotra, Y.; Paccagnella, A.; Verzellesi, Giovanni
FOXFET BIASED MICROSTRIP DETECTORS - AN INVESTIGATION OF RADIATION SENSITIVITY 1-gen-1994 Bacchetta, N; Bisello, D; Canali, Claudio; DA ROS, R; Giraldo, A; Gotra, Y; Paccagnella, A; Piacentino, Gm; Verzellesi, Giovanni
Forward and reverse characteristics of irradiated MOSFETs 1-gen-1995 Paccagnella, A.; Ceschia, M.; Verzellesi, G.; Betta Dalla, G. F.; Bellutti, P.; Fuochi, P. G.; Soncini, G.
Junction heterostructures for high performance electronics 1-gen-1995 J. B., Shealy; W. N., Jiang; P. A., Parikh; Verzellesi, Giovanni; U. K., Mishra
Design of an n-channel JFET on high-resistivity silicon for radiation-detector on-chip read-out electronics 1-gen-1995 Dalla Betta, G. F.; Verzellesi, Giovanni; Pignatel, G. U.; Amon, S.; Boscardin, M.; Soncini, G.
Influence of impact-ionization-induced base current reversal on bipolar transistor parameters 1-gen-1995 L., Vendrame; E., Zabotto; A., Dal Fabbro; A., Zanini; Verzellesi, Giovanni; E., Zanoni; A., Chantre; Pavan, Paolo
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