Non disponibile

Impact-ionization effects in advanced Si bipolar transistors / Verzellesi, G., Pavan, P., E., Z., Canali, C. - In: Process and Device Modeling for Microelectronics / G. BACCARANI. - STAMPA. - Amsterdam : Elsevier Science Publishers B.V., 1993. - ISBN 9780444899620. - pp. 269-324 [10.1063/1.349391]

Impact-ionization effects in advanced Si bipolar transistors

VERZELLESI, Giovanni;PAVAN, Paolo;CANALI, Claudio
1993

Abstract

Non disponibile
1993
WOS:A1991GC09800077
Process and Device Modeling for Microelectronics
9780444899620
Elsevier Science Publishers B.V.
PAESI BASSI
Impact-ionization effects in advanced Si bipolar transistors / Verzellesi, G., Pavan, P., E., Z., Canali, C. - In: Process and Device Modeling for Microelectronics / G. BACCARANI. - STAMPA. - Amsterdam : Elsevier Science Publishers B.V., 1993. - ISBN 9780444899620. - pp. 269-324 [10.1063/1.349391]
Verzellesi, Giovanni; Pavan, Paolo; E., Zanoni; Canali, Claudio
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