CANALI, Claudio

CANALI, Claudio  

Dip. INGEGNERIA DELL'INFORMAZIONE (attivo dal 16/07/2001 al 29/06/2012)  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
A temperature Compensated Ultrasonic Sensor Operating in Air for Distance and Proximity Measurements 1-gen-1982 Canali, Claudio; G., De Cicco; Morten, Bruno; Prudenziati, Maria; Taroni, Andrea
Breakdown and low-temperature anomalous effects in 6H SiC JFETs 1-gen-1998 G., Meneghesso; A., Bartolini; Verzellesi, Giovanni; A., Cavallini; A., Castaldini; Canali, Claudio; E., Zanoni
Comprehensive experimental and numerical assessment of hot electron reliability of power HFETs 1-gen-2001 R., Menozzi; G., Sozzi; Verzellesi, Giovanni; Borgarino, Mattia; Canali, Claudio; C., Lanzieri
Current collapse in AlGaN/GaN HEMT’s analysed by means of 2d device simulation 1-gen-2003 Meneghesso, G.; Verzellesi, Giovanni; Pierobon, R.; Rampazzo, F.; Chini, Alessandro; Canali, Claudio; Zanoni, E.
DC-to-RF dispersion effects in GaAs- and GaN-based heterostructure FETs: performance and reliability issues 1-gen-2005 Verzellesi, Giovanni; Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Zanoni, E.; Canali, Claudio
Deep levels in silicon carbide Schottky diodes 1-gen-2002 A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; Nava, Filippo; Canali, Claudio; C., Lanzieri
Deep traps in Beta-rhombohedral boron 1-gen-1975 Prudenziati, Maria; Canali, Claudio
Deep-level characterization in 6H-SiC JFETs by means of two-dimensional device simulations 1-gen-2002 Verzellesi, Giovanni; G., Meneghesso; Mazzanti, Andrea; Canali, Claudio; E., Zanoni
DEGRADATION OF SILICON AC-COUPLED MICROSTRIP DETECTORS INDUCED BY RADIATION 1-gen-1993 Bacchetta, N; Bisello, D; Canali, Claudio; Fuochi, Pg; Gotra, Y; Paccagnella, A; Verzellesi, Giovanni
Dependence of impact ionization and kink on surface-deep-level dynamics in AlGaAs/GaAs HFETs 1-gen-2001 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Vicini, L.; Canali, Claudio; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Lanzieri, C.
Double-junction effect in proton-irradiated silicon diodes 1-gen-2002 A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; Canali, Claudio; Nava, Filippo
Electric field distribution in irradiated silicon detectors 1-gen-2002 A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; Nava, Filippo; Canali, Claudio
Energetic and spatial localisation of deep-level traps responsible for DC-to-RF dispersion effects in AlGaAs-GaAs HFETs 1-gen-2003 Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; A., Cavallini; Canali, Claudio
Epitaxial silicon carbide charge particle detectors 1-gen-1999 Nava, Filippo; P., Vanni; C., Lanzieri; Canali, Claudio
Evidence for plasma effect on charge collection efficiency in proton irradiated GaAs detectors 1-gen-1999 Nava, Filippo; P., Vanni; Canali, Claudio; E., Vittone; P., Polesello; U., Biggeri; C., Leroy
Experimental and Monte Carlo analysis of impact-ionization in AlGaAs/GaAs HBT's 1-gen-1996 Canali, Claudio; Pavan, Paolo; Dicarlo, A; Lugli, P; Malik, R; Manfredi, M; Neviani, A; Vendrame, L; Zanoni, E; Zandler, G.
Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs 1-gen-2002 Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri
Experimental and numerical assessment of gate-lag phenomena in AlGaAs-GaAs heterostructure field-effect transistors (FETs) 1-gen-2003 Verzellesi, Giovanni; Mazzanti, Andrea; Basile, Alberto Francesco; A., Boni; E., Zanoni; Canali, Claudio
Experimental/numerical investigation of the physical mechanisms behind dc-to-RF dispersion effects in GaAs-based HFET’s 1-gen-2003 Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; A., Cavallini; A., Castaldini; C., Lanzieri; Canali, Claudio
Experimental/numerical investigation of the physical mechanisms behind high-field degradation of power HFETs and their implications on device design 1-gen-2001 R., Menozzi; G., Sozzi; Verzellesi, Giovanni; Borgarino, Mattia; C., Lanzieri; Canali, Claudio