Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs

Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; Manzini, E.; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; Pierobon, R.; Lanzieri, C.

Gate- and drain-lag phenomena are investigated in AlGaAs-InGaAs pseudomorphic HEMTs by comparing experimental transient and pulsed characteristics with simulated ones. A consistent interpretation for experimental data is provided, relying on the assumption that acceptor-like surface traps are present at the ungated surface between gate and source/drain contacts.

Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs / Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri. - STAMPA. - (2002), pp. 63-68. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO) tenutosi a Manchester (UK) nel Nov. 2002.

Data di pubblicazione:	2002
Titolo:	Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs
Autore/i:	Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri
Autore/i UNIMORE:	BASILE, Alberto Francesco MAZZANTI, Andrea E. MANZINI VERZELLESI, Giovanni CANALI, Claudio R. PIEROBON C. LANZIERI mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-77954358144
Codice identificativo ISI:	WOS:000180832000012
Nome del convegno:	IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO)
Luogo del convegno:	Manchester (UK)
Data del convegno:	Nov. 2002
Pagina iniziale:	63
Pagina finale:	68
Citazione:	Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs / Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri. - STAMPA. - (2002), pp. 63-68. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO) tenutosi a Manchester (UK) nel Nov. 2002.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/467030

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