Gate- and drain-lag phenomena are investigated in AlGaAs-InGaAs pseudomorphic HEMTs by comparing experimental transient and pulsed characteristics with simulated ones. A consistent interpretation for experimental data is provided, relying on the assumption that acceptor-like surface traps are present at the ungated surface between gate and source/drain contacts.
Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs / Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri. - STAMPA. - (2002), pp. 63-68. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO) tenutosi a Manchester (UK) nel Nov. 2002.
Data di pubblicazione: | 2002 | |
Titolo: | Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs | |
Autore/i: | Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-77954358144 | |
Codice identificativo ISI: | WOS:000180832000012 | |
Nome del convegno: | IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO) | |
Luogo del convegno: | Manchester (UK) | |
Data del convegno: | Nov. 2002 | |
Pagina iniziale: | 63 | |
Pagina finale: | 68 | |
Citazione: | Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs / Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri. - STAMPA. - (2002), pp. 63-68. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO) tenutosi a Manchester (UK) nel Nov. 2002. | |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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