Gate- and drain-lag phenomena are investigated in AlGaAs-InGaAs pseudomorphic HEMTs by comparing experimental transient and pulsed characteristics with simulated ones. A consistent interpretation for experimental data is provided, relying on the assumption that acceptor-like surface traps are present at the ungated surface between gate and source/drain contacts.

Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs / Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri. - STAMPA. - (2002), pp. 63-68. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO) tenutosi a Manchester (UK) nel Nov. 2002.

Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs

BASILE, Alberto Francesco;MAZZANTI, Andrea;VERZELLESI, Giovanni;CANALI, Claudio;
2002

Abstract

Gate- and drain-lag phenomena are investigated in AlGaAs-InGaAs pseudomorphic HEMTs by comparing experimental transient and pulsed characteristics with simulated ones. A consistent interpretation for experimental data is provided, relying on the assumption that acceptor-like surface traps are present at the ungated surface between gate and source/drain contacts.
IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO)
Manchester (UK)
Nov. 2002
63
68
Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri
Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs / Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri. - STAMPA. - (2002), pp. 63-68. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO) tenutosi a Manchester (UK) nel Nov. 2002.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Caricamento pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/467030
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 5
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 2
social impact