EnglishGate- and drain-lag phenomena are investigated in AlGaAs-InGaAs pseudomorphic HEMTs by comparing experimental transient and pulsed characteristics with simulated ones. A consistent interpretation for experimental data is provided, relying on the assumption that acceptor-like surface traps are present at the ungated surface between gate and source/drain contacts.
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| Data di pubblicazione: | 2002 |
| Titolo: | Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs |
| Autori: | A.F. BASILE; A. MAZZANTI; E. MANZINI; G. VERZELLESI; C. CANALI; R. PIEROBON; C. LANZIERI |
| Autori: | |
| Data del convegno: | Nov. 2002 |
| Nome del convegno: | IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO) |
| Luogo del convegno: | Manchester (UK) |
| Titolo del libro: | EDMO 2002 |
| Pagina iniziale: | 63 |
| Pagina finale: | 68 |
| Appare nelle tipologie: | Relazione in Atti di Convegno |
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http://hdl.handle.net/11380/467030
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