Gate- and drain-lag phenomena are investigated in AlGaAs-InGaAs pseudomorphic HEMTs by comparing experimental transient and pulsed characteristics with simulated ones. A consistent interpretation for experimental data is provided, relying on the assumption that acceptor-like surface traps are present at the ungated surface between gate and source/drain contacts.
Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs / Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri. - STAMPA. - (2002), pp. 63-68. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO) tenutosi a Manchester (UK) nel Nov. 2002.
Data di pubblicazione: | 2002 |
Titolo: | Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs |
Autore/i: | Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri |
Autore/i UNIMORE: | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-77954358144 |
Codice identificativo ISI: | WOS:000180832000012 |
Nome del convegno: | IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO) |
Luogo del convegno: | Manchester (UK) |
Data del convegno: | Nov. 2002 |
Pagina iniziale: | 63 |
Pagina finale: | 68 |
Citazione: | Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs / Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri. - STAMPA. - (2002), pp. 63-68. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO) tenutosi a Manchester (UK) nel Nov. 2002. |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
File in questo prodotto:

I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris