BASILE, Alberto Francesco

BASILE, Alberto Francesco  

Dip. INGEGNERIA DELL'INFORMAZIONE (attivo dal 16/07/2001 al 29/06/2012)  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Energetic and spatial localisation of deep-level traps responsible for DC-to-RF dispersion effects in AlGaAs-GaAs HFETs 1-gen-2003 Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; A., Cavallini; Canali, Claudio
Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs 1-gen-2002 Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri
Experimental and numerical assessment of gate-lag phenomena in AlGaAs-GaAs heterostructure field-effect transistors (FETs) 1-gen-2003 Verzellesi, Giovanni; Mazzanti, Andrea; Basile, Alberto Francesco; A., Boni; E., Zanoni; Canali, Claudio
Experimental and simulated gate lag transients in unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2004 R., Pierobon; F., Rampazzo; G., Meneghesso; E., Zanoni; J., Bernat; M., Marso; P., Kordos; Basile, Alberto Francesco; Verzellesi, Giovanni
Experimental/numerical investigation of the physical mechanisms behind dc-to-RF dispersion effects in GaAs-based HFET’s 1-gen-2003 Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; A., Cavallini; A., Castaldini; C., Lanzieri; Canali, Claudio
Hot-electron-stress degradation in unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs on SiC 1-gen-2005 Meneghesso, G.; Pierobon, R.; Rampazzo, F.; Tamiazzo, G.; Zanoni, E.; Bernat, J.; Kordos, P.; Basile, Alberto Francesco; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni
Impact of temperature on surface-trap-induced gate-lag effects in GaAs heterostructure FETs 1-gen-2003 Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; Canali, Claudio; G., Meneghesso; E., Zanoni
Light sensitivity of current DLTS and its implications on the physics of DC-to-RF dispersion in AlGaAs-GaAs HFETs 1-gen-2005 Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; Cavallini, A.; Castaldini, A.; Chini, Alessandro; Canali, Claudio
Light sensitivity of gate lag and current DLTS as a tool to investigate the origin of dc-to-RF dispersion effects in GaAs heterostructure FETs 1-gen-2004 Basile, Alberto Francesco; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; A., Cavallini; A., Castaldini; C., Lanzieri
Measurements and simulations of hot-carrier degradation effects in AlGaAs/GaAs HFETs 1-gen-2002 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; Canali, Claudio; G., Sozzi; R., Menozzi
Origin of hole-like peaks in current deep level transient spectroscopy of n-channel AlGaAs/GaAs heterostructure field-effect transistors 1-gen-2003 A., Cavallini; Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; Canali, Claudio; A., Castaldini; E., Zanoni
The impact of light on current DLTS and gate-lag transients of AlGaAs-GaAs HFETs 1-gen-2004 Verzellesi, Giovanni; A., Cavallini; Basile, Alberto Francesco; A., Castaldini; Canali, Claudio