EnglishUnpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrate both with intentionally undoped and doped structures with an extremely weak current collapse in the 50ns range have been presented. The characterization with gate-lag techniques did not shown relevant DC to RF dispersion and preliminary RF output power measurements lead to expect good RF performances.
| Data di pubblicazione: | 2004 |
| Autori: | R. PIEROBON; F. RAMPAZZO; G. MENEGHESSO; E. ZANONI; J. BERNAT; M. MARSO; P. KORDOS; A. BASILE; G. VERZELLESI |
| Titolo: | Experimental and simulated gate lag transients in unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs |
| Appare nelle tipologie: | Abstract in Atti di Convegno |
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