Experimental and simulated gate lag transients in unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs

Pierobon, R.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Bernat, J.; Marso, M.; Kordos, P.; Basile, Alberto Francesco; Verzellesi, Giovanni

Unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrate both with intentionally undoped and doped structures with an extremely weak current collapse in the 50ns range have been presented. The characterization with gate-lag techniques did not shown relevant DC to RF dispersion and preliminary RF output power measurements lead to expect good RF performances.

Experimental and simulated gate lag transients in unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs / R., Pierobon; F., Rampazzo; G., Meneghesso; E., Zanoni; J., Bernat; M., Marso; P., Kordos; Basile, Alberto Francesco; Verzellesi, Giovanni. - STAMPA. - (2004). ((Intervento presentato al convegno European Workshop on Heterostructure Technology tenutosi a Koutouloufari (Crete, Greece) nel Oct. 2004.

Data di pubblicazione:	2004
Autore/i:	R., Pierobon; F., Rampazzo; G., Meneghesso; E., Zanoni; J., Bernat; M., Marso; P., Kordos; Basile, Alberto Francesco; Verzellesi, Giovanni
Titolo:	Experimental and simulated gate lag transients in unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs
Nome del convegno:	European Workshop on Heterostructure Technology
Luogo del convegno:	Koutouloufari (Crete, Greece)
Data del convegno:	Oct. 2004
Citazione:	Experimental and simulated gate lag transients in unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs / R., Pierobon; F., Rampazzo; G., Meneghesso; E., Zanoni; J., Bernat; M., Marso; P., Kordos; Basile, Alberto Francesco; Verzellesi, Giovanni. - STAMPA. - (2004). ((Intervento presentato al convegno European Workshop on Heterostructure Technology tenutosi a Koutouloufari (Crete, Greece) nel Oct. 2004.
Tipologia	Abstract in Atti di Convegno

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