VERZELLESI, Giovanni

VERZELLESI, Giovanni  

Dipartimento di Scienze e Metodi dell'Ingegneria  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
A 10 bit resolution readout channel with dynamic range compression for X-ray imaging at FELs 1-gen-2015 Comotti, D.; Fabris, L.; Grassi, M.; Lodola, L.; Malcovati, P.; Manghisoni, M.; Ratti, L.; Re, V.; Traversi, G.; Vacchi, C.; Batignani, G.; Bettarini, S.; Casarosa, G.; Forti, F.; Morsani, F.; Paladino, A.; Paoloni, E.; Rizzo, G.; Benckechkache, M. A.; Betta, G. F. Dalla; Mendicino, R.; Pancheri, L.; Verzellesi, Giovanni; Xu, H.
A 2D imager for X-ray FELs with a 65 nm CMOS readout based on per-pixel signal compression and 10 bit A/D conversion 1-gen-2016 Ratti, L.; Comotti, D.; Fabris, L.; Grassi, M.; Lodola, L.; Malcovati, P.; Manghisoni, M.; Re, V.; Traversi, G.; Vacchi, C.; Rizzo, G.; Batignani, G.; Bettarini, S.; Casarosa, G.; Forti, F.; Giorgi, M.; Morsani, F.; Paladino, A.; Paoloni, E.; Pancheri, L.; Dalla Betta, G. F.; Mendicino, R.; Verzellesi, Giovanni; Xu, H.; Benkechkache, M. A.
3D Detectors on Hydrogenated Amorphous Silicon for particle tracking in high radiation environment 1-gen-2020 Menichelli, M; Boscardin, M; Crivellari, M; Davis, J; Dunand, S; Fanò, L; Moscatelli, F; Movileanu-Ionica, M; Petasecca, M; Piccini, M; Rossi, A; Scorzoni, A; Verzellesi, G; Wyrsch, N
A 180-nm CMOS Time-of-Flight 3-D Image Sensor 1-gen-2010 G. F., Dalla Betta; L., Pancheri; D., Stoppa; S., Donati; G., Martini; Verzellesi, Giovanni
A 2.4-GHz wireless alpha-ray sensor for remote monitoring and spectroscopy 1-gen-2010 Rovati, Luigi; Verzellesi, Giovanni; Bonaiuti, Matteo; Bidinelli, Luca; Saguatti, Davide; G. F., Dalla Betta; V., Tyzhnevyi; N., Zorzi; S., Bettarini
A 4096-pixel MAPS device with on-chip data sparsification 1-gen-2009 A., Gabrielli; G., Batignani; S., Bettarini; F., Bosi; G., Calderini; R., Cenci; M., Dell’Orso; F., Forti; P., Giannetti; M. A., Giorgi; A., Lusiani; G., Marchiori; F., Morsani; N., Neri; E., Paoloni; G., Rizzo; J., Walsh; C., Andreoli; L., Gaioni; E., Pozzati; L., Ratti; V., Speziali; M., Manghisoni; V., Re; G., Traversi; M., Bomben; L., Bosisio; G., Giacomini; L., Lanceri; I., Rachevskaia; L., Vitale; G. F., Dalla Betta; G., Soncini; G., Fontana; L., Pancheri; Verzellesi, Giovanni; D., Gamba; G., Giraudo; P., Mereu; R., Di Sipio; M., Bruschi; B., Giacobbe; F., Giorgi; C., Sbarra; N., Semprini; R., Spighi; S., Valentinetti; M., Villa; A., Zoccoli
A compact method for measuring parasitic resistances in bipolar transistors 1-gen-1993 Verzellesi, Giovanni; A., Chantre; R., Turetta; M., Cappellin; Pavan, Paolo; E., Zanoni
A new experimental technique for extracting base resistance and characterizing current crowding phenomena in bipolar transistors 1-gen-1992 Verzellesi, Giovanni; L., Vendrame; R., Turetta; Pavan, Paolo; A., Chantre; A., Marty; M., Cavone; R., Rivoir; E., Zanoni
A novel silicon microstrip termination structure with all p-type multiguard and scribe-line implants 1-gen-2002 G. F., Dalla Betta; M., Boscardin; L., Bosisio; S., Dittongo; P., Gregori; I., Rachevskaia; Verzellesi, Giovanni; N., Zorzi
A physics-based, accurate SPICE model of impact-ionization effects in bipolar transistors 1-gen-1994 E., Zanoni; A., Dal Fabbro; L., Vendrame; Verzellesi, Giovanni; G., Meneghesso; Pavan, Paolo; A., Chantre
A review of failure modes and mechanisms of GaN-based HEMTs 1-gen-2007 E., Zanoni; G., Meneghesso; Verzellesi, Giovanni; F., Danesin; M., Meneghini; F., Rampazzo; A., Tazzoli; F., Zanon
A test chip for the development of PIN-type silicon radiation detectors 1-gen-1996 G. F., Dalla Betta; M., Boscardin; Verzellesi, Giovanni; G. U., Pignatel; A., Fazzi; G., Soncini
Advances in the development of pixel detector for the SuperB Silicon Vertex Tracker 1-gen-2013 E., Paoloni; D., Comotti; M., Manghisoni; V., Re; G., Traversi; L., Fabbri; A., Gabrielli; F., Giorgi; G., Pellegrini; C., Sbarra; N., Semprini Cesari; S., Valentinetti; M., Villa; A., Zoccoli; A., Berra; D., Lietti; M., Prest; A., Bevan; F., Wilson; G., Beck; J., Morris; F., Gannaway; R., Cenci; L., Bombelli; M., Citterio; S., Coelli; C., Fiorini; V., Liberali; M., Monti; B., Nasri; N., Neri; F., Palombo; A., Stabile; G., Balestri; G., Batignani; A., Bernardelli; S., Bettarini; F., Bosi; G., Casarosa; M., Ceccanti; F., Forti; M. A., Giorgi; A., Lusiani; P., Mammini; F., Morsani; B., Oberhof; A., Perez; G., Petragnani; A., Profeti; G., Rizzo; A., Soldani; J., Walsh; L., Gaioni; A., Manazza; E., Quartieri; L., Ratti; S., Zucca; G. F., Dalla Betta; G., Fontana; L., Pancheri; M., Povoli; Verzellesi, Giovanni; L., Bosisio; L., Lanceri; I., Rashevskaya; C., Stella; L., Vitale
Alpha-particle detection based on the BJT detector and simple, IC-based readout electronics 1-gen-2009 Rovati, Luigi; S., Bettarini; Bonaiuti, Matteo; L., Bosisio; G. F., Dalla Betta; V., Tyzhnevyi; Verzellesi, Giovanni; N., Zorzi
An all-p-type termination structure for silicon microstrip detectors 1-gen-2001 G. F., DALLA BETTA; M., Boscardin; L., Bosisio; S., Dittongo; P., Gregori; I., Rachevskaia; Verzellesi, Giovanni; N., Zorzi
An improved all-p-type multiguard termination structure for silicon radiation detectors 1-gen-2002 M., Boscardin; L., Bosisio; A., Candelori; G. F., DALLA BETTA; S., Dittongo; P., Gregori; A., Litovchenko; C., Piemonte; I., Rachevskaia; S, Ronchin; Verzellesi, Giovanni; N., Zorzi
Analysis of current collapse effect in AlGaN/GaN HEMT: experiments and numerical simulations 1-gen-2010 M., Faqir; M., Bouya; N., Malbert; N., Labat; D., Carisetti; B., Lambert; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto
Analysis of DC and rf degradation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors based on pulsed measurements and spectroscopic techniques 1-gen-2010 Zanoni, E.; Chini, Alessandro; Stocco, A.; Rossetto, I.; Meneghini, M.; Rampazzo, F.; Ronchi, N.; Tazzoli, A.; Verzellesi, Giovanni; Meneghesso, G.
Analysis of efficiency-droop mechanisms in GaN-based light-emitting diodes, related technological solutions and discriminating experiments 1-gen-2011 Saguatti, Davide; Verzellesi, Giovanni; M., Meneghini; G., Meneghesso; E., Zanoni; R., Butendeich; B., Hahn
Analysis of efficiency-droop mechanisms in single-quantum-well InGaN/GaN light-emitting diodes 1-gen-2011 Saguatti, Davide; Verzellesi, Giovanni; Bidinelli, Luca; M., Meneghini; G., Meneghesso; E., Zanoni; R., Butendeich; B., Hahn