PIN radiation detectors and other test-structures have been fabricated on a FZ, high resistivity (2 kΩ·cm), n-type silicon substrate by a process that features three different, alternative extrinsic-gettering techniques. Extremely-low leakage-current values have been measured regardless of the gettering technique adopted, this confirming the effectiveness of gettering procedures in limiting the detector leakage current. In particular, devices exploiting a phosphorus-doped polysilicon backside layer as gettering site have shown the best results in terms of leakage-current and generation-lifetime values. Results from the electrical and optical characterization of such devices are reported and discussed.
A test chip for the development of PIN-type silicon radiation detectors / G. F., Dalla Betta; M., Boscardin; Verzellesi, Giovanni; G. U., Pignatel; A., Fazzi; G., Soncini. - STAMPA. - (1996), pp. 231-235. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) tenutosi a Trento (Italy) nel Mar. 1996.
Data di pubblicazione: | 1996 |
Titolo: | A test chip for the development of PIN-type silicon radiation detectors |
Autore/i: | G. F., Dalla Betta; M., Boscardin; Verzellesi, Giovanni; G. U., Pignatel; A., Fazzi; G., Soncini |
Autore/i UNIMORE: | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0029720037 |
Codice identificativo ISI: | WOS:A1996BG12J00042 |
Nome del convegno: | IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) |
Luogo del convegno: | Trento (Italy) |
Data del convegno: | Mar. 1996 |
Pagina iniziale: | 231 |
Pagina finale: | 235 |
Citazione: | A test chip for the development of PIN-type silicon radiation detectors / G. F., Dalla Betta; M., Boscardin; Verzellesi, Giovanni; G. U., Pignatel; A., Fazzi; G., Soncini. - STAMPA. - (1996), pp. 231-235. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) tenutosi a Trento (Italy) nel Mar. 1996. |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
File in questo prodotto:

I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris