Failure modes and mechanisms of AlGaN/GaN HEMTs, observed during accelerated tests at various bias conditions are reviewed.

A review of failure modes and mechanisms of GaN-based HEMTs / E., Zanoni; G., Meneghesso; Verzellesi, Giovanni; F., Danesin; M., Meneghini; F., Rampazzo; A., Tazzoli; F., Zanon. - STAMPA. - (2007), pp. 381-384. ((Intervento presentato al convegno 2007 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM tenutosi a Washington, DC, usa nel 2007 [10.1109/IEDM.2007.4418952].

A review of failure modes and mechanisms of GaN-based HEMTs

VERZELLESI, Giovanni;
2007

Abstract

Failure modes and mechanisms of AlGaN/GaN HEMTs, observed during accelerated tests at various bias conditions are reviewed.
2007 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM
Washington, DC, usa
2007
381
384
E., Zanoni; G., Meneghesso; Verzellesi, Giovanni; F., Danesin; M., Meneghini; F., Rampazzo; A., Tazzoli; F., Zanon
A review of failure modes and mechanisms of GaN-based HEMTs / E., Zanoni; G., Meneghesso; Verzellesi, Giovanni; F., Danesin; M., Meneghini; F., Rampazzo; A., Tazzoli; F., Zanon. - STAMPA. - (2007), pp. 381-384. ((Intervento presentato al convegno 2007 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM tenutosi a Washington, DC, usa nel 2007 [10.1109/IEDM.2007.4418952].
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