Failure modes and mechanisms of AlGaN/GaN HEMTs, observed during accelerated tests at various bias conditions are reviewed.
A review of failure modes and mechanisms of GaN-based HEMTs / E., Zanoni; G., Meneghesso; Verzellesi, Giovanni; F., Danesin; M., Meneghini; F., Rampazzo; A., Tazzoli; F., Zanon. - STAMPA. - (2007), pp. 381-384. (Intervento presentato al convegno 2007 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM tenutosi a Washington, DC, usa nel 2007) [10.1109/IEDM.2007.4418952].
A review of failure modes and mechanisms of GaN-based HEMTs
VERZELLESI, Giovanni;
2007
Abstract
Failure modes and mechanisms of AlGaN/GaN HEMTs, observed during accelerated tests at various bias conditions are reviewed.
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