Failure modes and mechanisms of AlGaN/GaN HEMTs, observed during accelerated tests at various bias conditions are reviewed.
A review of failure modes and mechanisms of GaN-based HEMTs / E., Z., G., M., Verzellesi, G., F., D., M., M., F., R., A., T., F., Z.. - STAMPA. - (2007), pp. 381-384. (2007 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM Washington, DC, usa 2007) [10.1109/IEDM.2007.4418952].
A review of failure modes and mechanisms of GaN-based HEMTs
VERZELLESI, Giovanni;
2007
Abstract
Failure modes and mechanisms of AlGaN/GaN HEMTs, observed during accelerated tests at various bias conditions are reviewed.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
