EnglishHot-carrier degradation effects are investigated in AlGaAs/GaAs HFETs by coupling measurements and two-dimensional device simulations. It is shown that only a simultaneous, localised increase of defects at the gate-drain recess surface and channel-buffer interface can thoroughly account for the observed post-stress device behaviour in terms of drain saturation current decrease, reverse gate current increase, gate-lag enhancement.
| Data di pubblicazione: | 2002 |
| Titolo: | Measurements and simulations of hot-carrier degradation effects in AlGaAs/GaAs HFETs |
| Autori: | A. MAZZANTI; G. VERZELLESI; A.F. BASILE; C. CANALI; G. SOZZI; R. MENOZZI |
| Autori: | |
| Data del convegno: | Sept. 2002 |
| Nome del convegno: | European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Applications (GAAS) |
| Luogo del convegno: | Milano (Italy) |
| Titolo del libro: | Proceedings GAAS 2002 |
| Pagina iniziale: | 389 |
| Pagina finale: | 392 |
| Appare nelle tipologie: | Relazione in Atti di Convegno |
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