Measurements and simulations of hot-carrier degradation effects in AlGaAs/GaAs HFETs

Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; Canali, Claudio; Sozzi, G.; Menozzi, R.

Hot-carrier degradation effects are investigated in AlGaAs/GaAs HFETs by coupling measurements and two-dimensional device simulations. It is shown that only a simultaneous, localised increase of defects at the gate-drain recess surface and channel-buffer interface can thoroughly account for the observed post-stress device behaviour in terms of drain saturation current decrease, reverse gate current increase, gate-lag enhancement.

Measurements and simulations of hot-carrier degradation effects in AlGaAs/GaAs HFETs / Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; Canali, Claudio; G., Sozzi; R., Menozzi. - STAMPA. - (2002), pp. 389-392. ((Intervento presentato al convegno European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Applications (GAAS) tenutosi a Milano (Italy) nel Sept. 2002.

Data di pubblicazione:	2002
Titolo:	Measurements and simulations of hot-carrier degradation effects in AlGaAs/GaAs HFETs
Autore/i:	Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; Canali, Claudio; G., Sozzi; R., Menozzi
Autore/i UNIMORE:	MAZZANTI, Andrea VERZELLESI, Giovanni BASILE, Alberto Francesco CANALI, Claudio G. SOZZI R. MENOZZI mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Nome del convegno:	European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Applications (GAAS)
Luogo del convegno:	Milano (Italy)
Data del convegno:	Sept. 2002
Pagina iniziale:	389
Pagina finale:	392
Citazione:	Measurements and simulations of hot-carrier degradation effects in AlGaAs/GaAs HFETs / Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; Canali, Claudio; G., Sozzi; R., Menozzi. - STAMPA. - (2002), pp. 389-392. ((Intervento presentato al convegno European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Applications (GAAS) tenutosi a Milano (Italy) nel Sept. 2002.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

Pubblicazioni consigliate

Loading suggested articles...

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11380/467029

Citazioni

I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris