EnglishThe description of the optical-generation phenomena has been incorporated in the semiconductor-device analysis program HFIELDS. This has been achieved by introducing a number of optical windows and interleaved material layers through which a radiation with arbitrary spectrum, incidence angle, and polarization state enters the crystal, and by evaluating the corresponding generation rate at each node of the discretization grid. The code equipped with this new capability makes the description of realistic semiconductor optical sensors feasible.
| Data di pubblicazione: | 1991 |
| Titolo: | Optical generation in semiconductor-device analysis, a general purpose implementation |
| Autori: | G. Verzellesi; M.C. Vecchi; M. Zen; M. Rudan |
| Autori: | |
| Data del convegno: | Sept. 1991 |
| Nome del convegno: | International Conference on Simulation of Semiconductor Devices and Processes (SISDEP) |
| Luogo del convegno: | Zurich (Switzerland) |
| Titolo del libro: | Simulation of Semiconductor Devices and Processes |
| Volume: | 4 |
| Pagina iniziale: | 57 |
| Pagina finale: | 64 |
| Appare nelle tipologie: | Relazione in Atti di Convegno |
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