A complete analytical model for impact ionization effects in bipolar transistors, which is able to predict the behaviour of advanced devices up to breakdown, is presented. A simple expression of the carrier mean energy suitable for circuit simulation is used to calculate the device multiplication coefficient and enables the influence of non-equilibrium transport on impact ionization to be accounted for. The role played by the reverse base current in determining the snapback of the common base output characteristics is investigated both experimentally and theoretically.
Measurements and simulation of avalanche breakdown in advanced Si bipolar transistors / E., Zanoni; E. F., Crabbe; J. M. C., Stork; Pavan, Paolo; Verzellesi, Giovanni; L., Vendrame; Canali, Claudio. - STAMPA. - (1992), pp. 927-930. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) tenutosi a S. Francisco (California, USA) nel Dec. 1992.
Data di pubblicazione: | 1992 |
Titolo: | Measurements and simulation of avalanche breakdown in advanced Si bipolar transistors |
Autore/i: | E., Zanoni; E. F., Crabbe; J. M. C., Stork; Pavan, Paolo; Verzellesi, Giovanni; L., Vendrame; Canali, Claudio |
Autore/i UNIMORE: | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-85067403069 |
Nome del convegno: | IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) |
Luogo del convegno: | S. Francisco (California, USA) |
Data del convegno: | Dec. 1992 |
Pagina iniziale: | 927 |
Pagina finale: | 930 |
Citazione: | Measurements and simulation of avalanche breakdown in advanced Si bipolar transistors / E., Zanoni; E. F., Crabbe; J. M. C., Stork; Pavan, Paolo; Verzellesi, Giovanni; L., Vendrame; Canali, Claudio. - STAMPA. - (1992), pp. 927-930. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) tenutosi a S. Francisco (California, USA) nel Dec. 1992. |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
File in questo prodotto:

I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris