FANTINI, Fausto
FANTINI, Fausto
A comparison between normally and highly accelerated electromigration tests
1998 Foley, S.; Scorzoni, A.; Balboni, R.; Impronta, M.; DE MUNARI, I.; Mathewson, A.; Fantini, Fausto
A Foveated Retina-Like Sensor Using CCD Technology
1989 J., VAN DER SPIEGEL; G., Kreider; C., Claeys; I., Debusschere; G., Sandini; P., Dario; Fantini, Fausto; P., Bellutti; G., Soncini
A percolative approach to electromigration in metallic lines
2001 C., Pennetta; L., Reggiani; G., Trefan; Fantini, Fausto; A., Scorzoni; I., De Munari
A percolative simulation of electromigration phenomena
2001 Pennetta, C; Reggiani, L; Trefan, G; Fantini, Fausto; Demunari, I; Scorzoni, A.
A proposal for a standard procedure for moderately accelerated electromigration tests on metal lines
1999 A., Scorzoni; M., Impronta; I., De Munari; Fantini, Fausto
A Retinal CCD Sensor for Fast 2D Shape Recognition and Tracking
1990 I., Debusschere; E., Bronckaers; C., Claeys; G., Kreider; J., VAN DER SPIEGEL; P., Belluti; G., Soncini; P., Dario; Fantini, Fausto; G., Sandini
A SEM based system for a complete characterisation of latch-up in CMOS integrated circuits
1986 C., Canali; Fantini, Fausto; M., Giannini; A., Senin; M., Vanzi; E., Zanoni
A Single-Chip 5GHz WLAN Transmitter in 0.35um Si/SiGe BiCMOS Technology
2006 F., Alimenti; Borgarino, Mattia; R., Codeluppi; V., Palazzari; M., Pifferi; L., Roselli; A., Scorzoni; Fantini, Fausto
A stochastic approach to failure analysis in electromigration phenomena
1999 C., Pennetta; L., Reggiani; G., Trefan; Fantini, Fausto; I., Demunari; A., Scorzoni
A study of hot electron degradation effects in pseudomorphic HEMTs
1997 P., Cova; R., Menozzi; Fantini, Fausto; M., Pavesi; G., Meneghesso
Activation energy in the early stage of electromigration in Al-1%Si/TiN/Ti bamboo lines
1995 I., DE MUNARI; A., Scorzoni; F., Tamarri; Fantini, Fausto
Affidabilità e fisica dei guasti nei circuiti integrati in silicio
1986 Fantini, Fausto; M., Vanzi
An Investigation of the Electrical Degradation of GaN High-Electron-Mobility Transistors by Numerical Simulations of DC Characteristics and Scattering Parameters
2011 DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Chini, Alessandro
Analysis of current collapse effect in AlGaN/GaN HEMT: experiments and numerical simulations
2010 M., Faqir; M., Bouya; N., Malbert; N., Labat; D., Carisetti; B., Lambert; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto
Analysis of GaN HEMT Failure Mechanisms During DC and Large-Signal RF Operation
2012 Chini, Alessandro; DI LECCE, Valerio; Fantini, Fausto; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Analysis of High-Electric-Field Degradation in AlGaN/GaN HEMTs
2007 Faqir, Mustapha; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Kordos, P.
Analysis of hot electron degradation in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterisation
1997 N., Labat; N., Saysset; A., Touboul; Y., Danto; P., Cova; Fantini, Fausto
Anodic Gold corrosion in plastic encapsulated devices
1983 Brambilla, E.; Brambilla, P.; Canali, C.; Fantini, Fausto; Vanzi, M.
Appunti di Microelettronica
2002 Fantini, Fausto; Borgarino, Mattia
Are high resolution resistometric methods really useful for early detection of electromigration damage?
1997 A., Scorzoni; S., Franceschini; R., Balboni; M., Impronta; I., DE MUNARI; Fantini, Fausto
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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A comparison between normally and highly accelerated electromigration tests | 1-gen-1998 | Foley, S.; Scorzoni, A.; Balboni, R.; Impronta, M.; DE MUNARI, I.; Mathewson, A.; Fantini, Fausto | |
A Foveated Retina-Like Sensor Using CCD Technology | 1-gen-1989 | J., VAN DER SPIEGEL; G., Kreider; C., Claeys; I., Debusschere; G., Sandini; P., Dario; Fantini, Fausto; P., Bellutti; G., Soncini | |
A percolative approach to electromigration in metallic lines | 1-gen-2001 | C., Pennetta; L., Reggiani; G., Trefan; Fantini, Fausto; A., Scorzoni; I., De Munari | |
A percolative simulation of electromigration phenomena | 1-gen-2001 | Pennetta, C; Reggiani, L; Trefan, G; Fantini, Fausto; Demunari, I; Scorzoni, A. | |
A proposal for a standard procedure for moderately accelerated electromigration tests on metal lines | 1-gen-1999 | A., Scorzoni; M., Impronta; I., De Munari; Fantini, Fausto | |
A Retinal CCD Sensor for Fast 2D Shape Recognition and Tracking | 1-gen-1990 | I., Debusschere; E., Bronckaers; C., Claeys; G., Kreider; J., VAN DER SPIEGEL; P., Belluti; G., Soncini; P., Dario; Fantini, Fausto; G., Sandini | |
A SEM based system for a complete characterisation of latch-up in CMOS integrated circuits | 1-gen-1986 | C., Canali; Fantini, Fausto; M., Giannini; A., Senin; M., Vanzi; E., Zanoni | |
A Single-Chip 5GHz WLAN Transmitter in 0.35um Si/SiGe BiCMOS Technology | 1-gen-2006 | F., Alimenti; Borgarino, Mattia; R., Codeluppi; V., Palazzari; M., Pifferi; L., Roselli; A., Scorzoni; Fantini, Fausto | |
A stochastic approach to failure analysis in electromigration phenomena | 1-gen-1999 | C., Pennetta; L., Reggiani; G., Trefan; Fantini, Fausto; I., Demunari; A., Scorzoni | |
A study of hot electron degradation effects in pseudomorphic HEMTs | 1-gen-1997 | P., Cova; R., Menozzi; Fantini, Fausto; M., Pavesi; G., Meneghesso | |
Activation energy in the early stage of electromigration in Al-1%Si/TiN/Ti bamboo lines | 1-gen-1995 | I., DE MUNARI; A., Scorzoni; F., Tamarri; Fantini, Fausto | |
Affidabilità e fisica dei guasti nei circuiti integrati in silicio | 1-gen-1986 | Fantini, Fausto; M., Vanzi | |
An Investigation of the Electrical Degradation of GaN High-Electron-Mobility Transistors by Numerical Simulations of DC Characteristics and Scattering Parameters | 1-gen-2011 | DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Chini, Alessandro | |
Analysis of current collapse effect in AlGaN/GaN HEMT: experiments and numerical simulations | 1-gen-2010 | M., Faqir; M., Bouya; N., Malbert; N., Labat; D., Carisetti; B., Lambert; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto | |
Analysis of GaN HEMT Failure Mechanisms During DC and Large-Signal RF Operation | 1-gen-2012 | Chini, Alessandro; DI LECCE, Valerio; Fantini, Fausto; Meneghesso, G.; Zanoni, E. | |
Analysis of High-Electric-Field Degradation in AlGaN/GaN HEMTs | 1-gen-2007 | Faqir, Mustapha; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Kordos, P. | |
Analysis of hot electron degradation in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterisation | 1-gen-1997 | N., Labat; N., Saysset; A., Touboul; Y., Danto; P., Cova; Fantini, Fausto | |
Anodic Gold corrosion in plastic encapsulated devices | 1-gen-1983 | Brambilla, E.; Brambilla, P.; Canali, C.; Fantini, Fausto; Vanzi, M. | |
Appunti di Microelettronica | 1-gen-2002 | Fantini, Fausto; Borgarino, Mattia | |
Are high resolution resistometric methods really useful for early detection of electromigration damage? | 1-gen-1997 | A., Scorzoni; S., Franceschini; R., Balboni; M., Impronta; I., DE MUNARI; Fantini, Fausto |