FANTINI, Fausto

Rete di Collaborazioni Statistiche Email Alert RSS Feed

Dettaglio

Nome completo

FANTINI, Fausto

Pubblicazioni

Risultati 1 - 20 di 156 (tempo di esecuzione: 0.001 secondi).

	Titolo	Data di pubblicazione	Autore(i)
1	A comparison between normally and highly accelerated electromigration tests	1998	Foley, S.; Scorzoni, A.; Balboni, R.; Impronta, M.; DE MUNARI, I.; Mathewson, A.; Fantini, Fausto
2	A Foveated Retina-Like Sensor Using CCD Technology	1989	J., VAN DER SPIEGEL; G., Kreider; C., Claeys; I., Debusschere; G., Sandini; P., Dario; Fantini, Fausto; P., Bellutti; G., Soncini
3	A percolative approach to electromigration in metallic lines	2001	C., Pennetta; L., Reggiani; G., Trefan; Fantini, Fausto; A., Scorzoni; I., De Munari
4	A percolative simulation of electromigration phenomena	2001	Pennetta, C; Reggiani, L; Trefan, G; Fantini, Fausto; Demunari, I; Scorzoni, A.
5	A proposal for a standard procedure for moderately accelerated electromigration tests on metal lines	1999	A., Scorzoni; M., Impronta; I., De Munari; Fantini, Fausto
6	A Retinal CCD Sensor for Fast 2D Shape Recognition and Tracking	1990	I., Debusschere; E., Bronckaers; C., Claeys; G., Kreider; J., VAN DER SPIEGEL; P., Belluti; G., Soncini; P., Dario; Fantini, Fausto; G., Sandini
7	A Single-Chip 5GHz WLAN Transmitter in 0.35um Si/SiGe BiCMOS Technology	2006	F., Alimenti; Borgarino, Mattia; R., Codeluppi; V., Palazzari; M., Pifferi; L., Roselli; A., Scorzoni; Fantini, Fausto
8	A stochastic approach to failure analysis in electromigration phenomena	1999	C., Pennetta; L., Reggiani; G., Trefan; Fantini, Fausto; I., Demunari; A., Scorzoni
9	A study of hot electron degradation effects in pseudomorphic HEMTs	1997	P., Cova; R., Menozzi; Fantini, Fausto; M., Pavesi; G., Meneghesso
10	Activation energy in the early stage of electromigration in Al-1%Si/TiN/Ti bamboo lines	1995	I., DE MUNARI; A., Scorzoni; F., Tamarri; Fantini, Fausto
11	L'affidabilità dei dispositivi a semiconduttore - parte prima	1983	Fantini, Fausto; G., Mattana; E., Zanoni
12	L'affidabilità dei dispositivi a semiconduttore - parte seconda	1983	Fantini, Fausto; G., Mattana; E., Zanoni
13	Affidabilità e fisica dei guasti nei circuiti integrati in silicio	1986	Fantini, Fausto; M., Vanzi
14	L'affidabilità e il DOE: progettazione degli esperimenti	2001	Fantini, Fausto; Cattani, L.
15	Analysis of current collapse effect in AlGaN/GaN HEMT: experiments and numerical simulations	2010	M., Faqir; M., Bouya; N., Malbert; N., Labat; D., Carisetti; B., Lambert; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto
16	Analysis of GaN HEMT Failure Mechanisms During DC and Large-Signal RF Operation	2012	Chini, Alessandro; DI LECCE, Valerio; Fantini, Fausto; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
17	Analysis of High-Electric-Field Degradation in AlGaN/GaN HEMTs	2007	Faqir, Mustapha; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Kordos, P.
18	Analysis of hot electron degradation in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterisation	1997	N., Labat; N., Saysset; A., Touboul; Y., Danto; P., Cova; Fantini, Fausto
19	Anodic Gold corrosion in plastic encapsulated devices	1983	Brambilla, E.; Brambilla, P.; Canali, C.; Fantini, Fausto; Vanzi, M.
20	Appunti di Microelettronica	2002	Fantini, Fausto; Borgarino, Mattia