ItalianoFANTINI, Fausto
Pubblicazioni
Risultati 1 - 20 di 156 (tempo di esecuzione: 0.001 secondi).
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | |
|---|---|---|---|
| 1 | A comparison between normally and highly accelerated electromigration tests | 1998 | Foley, S.; Scorzoni, A.; Balboni, R.; Impronta, M.; DE MUNARI, I.; Mathewson, A.; Fantini, Fausto |
| 2 | A Foveated Retina-Like Sensor Using CCD Technology | 1989 | J., VAN DER SPIEGEL; G., Kreider; C., Claeys; I., Debusschere; G., Sandini; P., Dario; Fantini, Fausto; P., Bellutti; G., Soncini |
| 3 | A percolative approach to electromigration in metallic lines | 2001 | C., Pennetta; L., Reggiani; G., Trefan; Fantini, Fausto; A., Scorzoni; I., De Munari |
| 4 | A percolative simulation of electromigration phenomena | 2001 | Pennetta, C; Reggiani, L; Trefan, G; Fantini, Fausto; Demunari, I; Scorzoni, A. |
| 5 | A proposal for a standard procedure for moderately accelerated electromigration tests on metal lines | 1999 | A., Scorzoni; M., Impronta; I., De Munari; Fantini, Fausto |
| 6 | A Retinal CCD Sensor for Fast 2D Shape Recognition and Tracking | 1990 | I., Debusschere; E., Bronckaers; C., Claeys; G., Kreider; J., VAN DER SPIEGEL; P., Belluti; G., Soncini; P., Dario; Fantini, Fausto; G., Sandini |
| 7 | A Single-Chip 5GHz WLAN Transmitter in 0.35um Si/SiGe BiCMOS Technology | 2006 | F., Alimenti; Borgarino, Mattia; R., Codeluppi; V., Palazzari; M., Pifferi; L., Roselli; A., Scorzoni; Fantini, Fausto |
| 8 | A stochastic approach to failure analysis in electromigration phenomena | 1999 | C., Pennetta; L., Reggiani; G., Trefan; Fantini, Fausto; I., Demunari; A., Scorzoni |
| 9 | A study of hot electron degradation effects in pseudomorphic HEMTs | 1997 | P., Cova; R., Menozzi; Fantini, Fausto; M., Pavesi; G., Meneghesso |
| 10 | Activation energy in the early stage of electromigration in Al-1%Si/TiN/Ti bamboo lines | 1995 | I., DE MUNARI; A., Scorzoni; F., Tamarri; Fantini, Fausto |
| 11 | L'affidabilità dei dispositivi a semiconduttore - parte prima | 1983 | Fantini, Fausto; G., Mattana; E., Zanoni |
| 12 | L'affidabilità dei dispositivi a semiconduttore - parte seconda | 1983 | Fantini, Fausto; G., Mattana; E., Zanoni |
| 13 | Affidabilità e fisica dei guasti nei circuiti integrati in silicio | 1986 | Fantini, Fausto; M., Vanzi |
| 14 | L'affidabilità e il DOE: progettazione degli esperimenti | 2001 | Fantini, Fausto; Cattani, L. |
| 15 | Analysis of current collapse effect in AlGaN/GaN HEMT: experiments and numerical simulations | 2010 | M., Faqir; M., Bouya; N., Malbert; N., Labat; D., Carisetti; B., Lambert; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto |
| 16 | Analysis of GaN HEMT Failure Mechanisms During DC and Large-Signal RF Operation | 2012 | Chini, Alessandro; DI LECCE, Valerio; Fantini, Fausto; Meneghesso, G.; Zanoni, E. |
| 17 | Analysis of High-Electric-Field Degradation in AlGaN/GaN HEMTs | 2007 | Faqir, Mustapha; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Kordos, P. |
| 18 | Analysis of hot electron degradation in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterisation | 1997 | N., Labat; N., Saysset; A., Touboul; Y., Danto; P., Cova; Fantini, Fausto |
| 19 | Anodic Gold corrosion in plastic encapsulated devices | 1983 | Brambilla, E.; Brambilla, P.; Canali, C.; Fantini, Fausto; Vanzi, M. |
| 20 | Appunti di Microelettronica | 2002 | Fantini, Fausto; Borgarino, Mattia |
Dettaglio
FANTINI, Fausto
Copyright © 2020