Analysis of current collapse effect in AlGaN/GaN HEMT: experiments and numerical simulations

Faqir, M.; Bouya, M.; Malbert, N.; Labat, N.; Carisetti, D.; Lambert, B.; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto

doi:10.1016/j.microrel.2010.07.020

In this work, current collapse effects in AlGaN/GaN HEMTs are investigated by means of measurements and two-dimensional physical simulations. According to pulsed measurements, the used devices exhibit a significant gate-lag and a less pronounced drain-lag ascribed to the presence of surface/barrier and buffer traps, respectively. As a matter of fact, two trap levels (0.45 eV and 0.78 eV) were extracted by trapping analysis based on isothermal current transient. On the other hand, 2D physical simulations suggest that the kink effect can be explained by electron trapping into barrier traps and a consequent electron emission after a certain electric-field is reached.

Analysis of current collapse effect in AlGaN/GaN HEMT: experiments and numerical simulations / M., Faqir; M., Bouya; N., Malbert; N., Labat; D., Carisetti; B., Lambert; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - STAMPA. - 50(2010), pp. 1520-1522.

Data di pubblicazione:	2010
Titolo:	Analysis of current collapse effect in AlGaN/GaN HEMT: experiments and numerical simulations
Autore/i:	M., Faqir; M., Bouya; N., Malbert; N., Labat; D., Carisetti; B., Lambert; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto
Autore/i UNIMORE:	M. Faqir M. Bouya N. Malbert N. Labat D. Carisetti B. Lambert VERZELLESI, Giovanni FANTINI, Fausto mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2010.07.020
Rivista:	MICROELECTRONICS RELIABILITY
Volume:	50
Pagina iniziale:	1520
Pagina finale:	1522
Codice identificativo ISI:	WOS:000282607400066
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-80054881673
Citazione:	Analysis of current collapse effect in AlGaN/GaN HEMT: experiments and numerical simulations / M., Faqir; M., Bouya; N., Malbert; N., Labat; D., Carisetti; B., Lambert; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - STAMPA. - 50(2010), pp. 1520-1522.
Tipologia	Articolo su rivista

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http://hdl.handle.net/11380/652835

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