FANTINI, Fausto

FANTINI, Fausto  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
A comparison between normally and highly accelerated electromigration tests 1-gen-1998 Foley, S.; Scorzoni, A.; Balboni, R.; Impronta, M.; DE MUNARI, I.; Mathewson, A.; Fantini, Fausto
A Foveated Retina-Like Sensor Using CCD Technology 1-gen-1989 J., VAN DER SPIEGEL; G., Kreider; C., Claeys; I., Debusschere; G., Sandini; P., Dario; Fantini, Fausto; P., Bellutti; G., Soncini
A percolative approach to electromigration in metallic lines 1-gen-2001 C., Pennetta; L., Reggiani; G., Trefan; Fantini, Fausto; A., Scorzoni; I., De Munari
A percolative simulation of electromigration phenomena 1-gen-2001 Pennetta, C; Reggiani, L; Trefan, G; Fantini, Fausto; Demunari, I; Scorzoni, A.
A proposal for a standard procedure for moderately accelerated electromigration tests on metal lines 1-gen-1999 A., Scorzoni; M., Impronta; I., De Munari; Fantini, Fausto
A Retinal CCD Sensor for Fast 2D Shape Recognition and Tracking 1-gen-1990 I., Debusschere; E., Bronckaers; C., Claeys; G., Kreider; J., VAN DER SPIEGEL; P., Belluti; G., Soncini; P., Dario; Fantini, Fausto; G., Sandini
A Single-Chip 5GHz WLAN Transmitter in 0.35um Si/SiGe BiCMOS Technology 1-gen-2006 F., Alimenti; Borgarino, Mattia; R., Codeluppi; V., Palazzari; M., Pifferi; L., Roselli; A., Scorzoni; Fantini, Fausto
A stochastic approach to failure analysis in electromigration phenomena 1-gen-1999 C., Pennetta; L., Reggiani; G., Trefan; Fantini, Fausto; I., Demunari; A., Scorzoni
A study of hot electron degradation effects in pseudomorphic HEMTs 1-gen-1997 P., Cova; R., Menozzi; Fantini, Fausto; M., Pavesi; G., Meneghesso
Activation energy in the early stage of electromigration in Al-1%Si/TiN/Ti bamboo lines 1-gen-1995 I., DE MUNARI; A., Scorzoni; F., Tamarri; Fantini, Fausto
L'affidabilità dei dispositivi a semiconduttore - parte prima 1-gen-1983 Fantini, Fausto; G., Mattana; E., Zanoni
L'affidabilità dei dispositivi a semiconduttore - parte seconda 1-gen-1983 Fantini, Fausto; G., Mattana; E., Zanoni
Affidabilità e fisica dei guasti nei circuiti integrati in silicio 1-gen-1986 Fantini, Fausto; M., Vanzi
L'affidabilità e il DOE: progettazione degli esperimenti 1-gen-2001 Fantini, Fausto; Cattani, L.
Analysis of current collapse effect in AlGaN/GaN HEMT: experiments and numerical simulations 1-gen-2010 M., Faqir; M., Bouya; N., Malbert; N., Labat; D., Carisetti; B., Lambert; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto
Analysis of GaN HEMT Failure Mechanisms During DC and Large-Signal RF Operation 1-gen-2012 Chini, Alessandro; DI LECCE, Valerio; Fantini, Fausto; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Analysis of High-Electric-Field Degradation in AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2007 Faqir, Mustapha; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Kordos, P.
Analysis of hot electron degradation in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterisation 1-gen-1997 N., Labat; N., Saysset; A., Touboul; Y., Danto; P., Cova; Fantini, Fausto
Anodic Gold corrosion in plastic encapsulated devices 1-gen-1983 Brambilla, E.; Brambilla, P.; Canali, C.; Fantini, Fausto; Vanzi, M.
Appunti di Microelettronica 1-gen-2002 Fantini, Fausto; Borgarino, Mattia