EnglishCommercial pseudomorphic AlGaAs/InGaAs HEMTs designed for low noise operation have demonstrated weak sensitivity to hot electron stress. We have investigated underlying physical mechanisms by LF channel noise analysis and Drain Current Transient Spectroscopy (DCTS).
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| Anno di pubblicazione: | 1997 |
| Titolo: | Analysis of hot electron degradation in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterisation |
| Autori: | N.LABAT; N.SAYSSET; A.TOUBOUL; Y.DANTO; P.COVA; F. FANTINI |
| Autori: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 37 |
| Pagina iniziale: | 1675 |
| Pagina finale: | 1678 |
| Appare nelle tipologie: | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/451768
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