In this work we report on hot-electron stress experiments performed on commercial AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs.
A study of hot electron degradation effects in pseudomorphic HEMTs / P., Cova; R., Menozzi; Fantini, Fausto; M., Pavesi; G., Meneghesso. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - STAMPA. - 37:(1997), pp. 1131-1135.
A study of hot electron degradation effects in pseudomorphic HEMTs
FANTINI, Fausto;
1997
Abstract
In this work we report on hot-electron stress experiments performed on commercial AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs.File in questo prodotto:
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