CIONI, MARCELLO

CIONI, MARCELLO  

Dipartimento di Ingegneria "Enzo Ferrari"  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
A Novel Temperature Estimation Technique Exploiting Carrier Emission from Buffer Traps 1-gen-2022 Cioni, Marcello; Zagni, Nicolo; Chini, Alessandro
Caratterizzazione di Dispositivi di Potenza a Semiconduttore con Largo Band-Gap 7-mar-2023 Cioni, Marcello
Effect of Trap-Filling Bias on the Extraction of the Time Constant of Drain Current Transients in AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2021 Zagni, Nicolo; Cioni, Marcello; Chini, Alessandro
Electric Field and Self-Heating Effects on the Emission Time of Iron Traps in GaN HEMTs 1-gen-2021 Cioni, Marcello; Zagni, Nicolo; Selmi, Luca; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Chini, Alessandro
Evaluation of VTH and RON Drifts during Switch-Mode Operation in Packaged SiC MOSFETs 1-gen-2021 Cioni, Marcello; Bertacchini, Alessandro; Mucci, Alessandro; Zagni, Nicolò; Verzellesi, Giovanni; Pavan, Paolo; Chini, Alessandro
Experimental and numerical investigation of Poole-Frenkel effect on dynamic RON transients in C-doped p-GaN HEMTs 1-gen-2022 Zagni, Nicolò; Cioni, Marcello; Iucolano, Ferdinando; Moschetti, Maurizio; Verzellesi, Giovanni; Chini, Alessandro
Fe-Traps Influence on Time-dependent Breakdown Voltage in 0.1-μm GaN HEMTs for 5G Applications 1-gen-2022 Cioni, M.; Zagni, N.; Chini, A.
GaN-based power devices: Physics, reliability, and perspectives 1-gen-2021 Meneghini, Matteo; De Santi, Carlo; Abid, Idriss; Buffolo, Matteo; Cioni, Marcello; Khadar, Riyaz Abdul; Nela, Luca; Zagni, Nicolò; Chini, Alessandro; Medjdoub, Farid; Meneghesso, Gaudenzio; Verzellesi, Giovanni; Zanoni, Enrico; Matioli, Elison
Gate-Bias Induced RON Instability in p-GaN Power HEMTs 1-gen-2023 Chini, Alessandro; Zagni, Nicolo'; Verzellesi, Giovanni; Cioni, Marcello; Giorgino, Giovanni; Nicotra, Maria Concetta; Castagna, Maria Eloisa; Iucolano, Ferdinando
Identification of Interface States responsible for VTHHysteresis in packaged SiC MOSFETs 1-gen-2022 Cioni, M.; Fiorenza, P.; Roccaforte, F.; Saggio, M.; Cascino, S.; Messina, A.; Vinciguerra, V.; Calabretta, M.; Chini, A.
Impact of Soft- and Hard-Switching transitions on VTH and RON Drifts in packaged SiC MOSFETs 1-gen-2021 Cioni, M.; Chini, A.
Investigation on VTH and RON Slow/Fast Drifts in SiC MOSFETs 1-gen-2021 Cioni, M.; Bertacchini, A.; Mucci, A.; Verzellesi, G.; Pavan, P.; Chini, A.
Mechanisms Underlying the Bidirectional VT Shift After Negative-Bias Temperature Instability Stress in Carbon-Doped Fully Recessed AlGaN/GaN MIS-HEMTs 1-gen-2021 Zagni, Nicolo; Cioni, Marcello; Chini, Alessandro; Iucolano, Ferdinando; Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Verzellesi, Giovanni
Partial Recovery of Dynamic RON Versus OFF-State Stress Voltage in p-GaN Gate AlGaN/GaN Power HEMTs 1-gen-2021 Cioni, Marcello; Zagni, Nicolo; Iucolano, Ferdinando; Moschetti, Maurizio; Verzellesi, Giovanni; Chini, Alessandro
Role of carbon in dynamic effects and reliability of 0.15-um AlGaN/GaN HEMTs for RF power amplifiers 1-gen-2022 De Santi, Carlo; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Rampazzo, Fabiana; Gao, Veronica Zhan; Sharma, Chandan; Chiocchetta, Francesca; Verzellesi, Giovanni; Chini, Alessandro; Cioni, Marcello; Zagni, Nicolò; Lanzieri, Claudio; Pantellini, Alessio; Peroni, Marco; Latessa, Luca