EnglishRON and VTH drifts in TO-247 SiC packaged MOSFETs are investigated in this paper. The use of a novel on-the-fly measurement setup able to capture their variation over a 100µs to 1000s time range revealed the presence of two separated fast and slow mechanisms affecting the VTH and RON stability. Particularly, fast drain-induced mechanisms were found to negatively shift VTH, whereas no appreciable fast drifts were observed on RON. Conversely, slow drifts were found on both parameters, yielding a decrease in VTH and an RON increase. To investigate their origin, measurements were carried out for either i) different Duty Cycles and ii) several on-state current levels, proving that device self-heating (i.e., temperature increase) is responsible for the observed slow instabilities.
Investigation on VTH and RON Slow/Fast Drifts in SiC MOSFETs / Cioni, M.; Bertacchini, A.; Mucci, A.; Verzellesi, G.; Pavan, P.; Chini, A.. - (2021), pp. 1-5. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) tenutosi a Monterey, CA, USA nel 21-24 March 2021 [10.1109/IRPS46558.2021.9405231].
| Data di pubblicazione: | 2021 | |
| Data di prima pubblicazione: | 26-apr-2021 | |
| Titolo: | Investigation on VTH and RON Slow/Fast Drifts in SiC MOSFETs | |
| Autore/i: | Cioni, M.; Bertacchini, A.; Mucci, A.; Verzellesi, G.; Pavan, P.; Chini, A. | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/IRPS46558.2021.9405231 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-85105572203 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000672563100140 | |
| Nome del convegno: | IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) | |
| Luogo del convegno: | Monterey, CA, USA | |
| Data del convegno: | 21-24 March 2021 | |
| Pagina iniziale: | 1 | |
| Pagina finale: | 5 | |
| Citazione: | Investigation on VTH and RON Slow/Fast Drifts in SiC MOSFETs / Cioni, M.; Bertacchini, A.; Mucci, A.; Verzellesi, G.; Pavan, P.; Chini, A.. - (2021), pp. 1-5. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) tenutosi a Monterey, CA, USA nel 21-24 March 2021 [10.1109/IRPS46558.2021.9405231]. | |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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http://hdl.handle.net/11380/1244455
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