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Evidence for plasma effect on charge collection efficiency in proton irradiated GaAs detectors
1999 Nava, Filippo; P., Vanni; Canali, Claudio; E., Vittone; P., Polesello; U., Biggeri; C., Leroy
Epitaxial silicon carbide charge particle detectors
1999 Nava, Filippo; P., Vanni; C., Lanzieri; Canali, Claudio
Influence of substrate on the performance of semi-insulating GaAs detectors
2000 R., Baldini; P., Vanni; Nava, Filippo; Canali, Claudio; C., Lanzieri
Two-dimensional numerical simulation of deep-level effects in 6H-SiC buried-gate JFETs
2001 Verzellesi, Giovanni; G., Meneghesso; A., Cavallini; E., Zanoni; Canali, Claudio
Trap-related effects in 6H-SiC buried-gate JFETs
2001 G., Meneghesso; Chini, Alessandro; E., Zanoni; Verzellesi, Giovanni; Tediosi, Erika; Canali, Claudio; A., Cavallini; A., Castaldini
Comprehensive experimental and numerical assessment of hot electron reliability of power HFETs
2001 R., Menozzi; G., Sozzi; Verzellesi, Giovanni; Borgarino, Mattia; Canali, Claudio; C., Lanzieri
Surface-related kink effect in AlGaAs/GaAs power HFETs
2001 Tediosi, Erika; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; G., Sozzi; R., Menozzi; C., Lanzieri
Influence of surface-trap dynamics on impact-ionization and kink phenomena in AlGaAs/GaAs HFETs
2001 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; Chini, Alessandro; G., Meneghesso; E., Zanoni; C., Lanzieri
Trap characterization in buried-gate n-channel 6H-SiC JFETs
2001 Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Cavallini, A.; Canali, Claudio; Zanoni, E.
Dependence of impact ionization and kink on surface-deep-level dynamics in AlGaAs/GaAs HFETs
2001 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Vicini, L.; Canali, Claudio; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Lanzieri, C.
Experimental/numerical investigation of the physical mechanisms behind high-field degradation of power HFETs and their implications on device design
2001 R., Menozzi; G., Sozzi; Verzellesi, Giovanni; Borgarino, Mattia; C., Lanzieri; Canali, Claudio
Measurements and simulations of hot-carrier degradation effects in AlGaAs/GaAs HFETs
2002 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; Canali, Claudio; G., Sozzi; R., Menozzi
Deep-level characterization in 6H-SiC JFETs by means of two-dimensional device simulations
2002 Verzellesi, Giovanni; G., Meneghesso; Mazzanti, Andrea; Canali, Claudio; E., Zanoni
Numerical analysis of hot electron degradation modes in power HFETs
2002 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; G., Sozzi; R., Menozzi
Physical investigation of trap-related effects in power HFETs and their reliability implications
2002 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; G., Sozzi; R., Menozzi; C., Lanzieri; Canali, Claudio
Electric field distribution in irradiated silicon detectors
2002 A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; Nava, Filippo; Canali, Claudio
Deep levels in silicon carbide Schottky diodes
2002 A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; Nava, Filippo; Canali, Claudio; C., Lanzieri
Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs
2002 Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri
Investigation on the charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode detector
2002 Verzellesi, Giovanni; Vanni, Paolo; Nava, Filippo; Canali, Claudio
Physics-Based Explanation of Kink Dynamics in AlGaAs/GaAs HFETs
2002 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; G., Meneghesso; E., Zanoni
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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Evidence for plasma effect on charge collection efficiency in proton irradiated GaAs detectors | 1-gen-1999 | Nava, Filippo; P., Vanni; Canali, Claudio; E., Vittone; P., Polesello; U., Biggeri; C., Leroy | |
Epitaxial silicon carbide charge particle detectors | 1-gen-1999 | Nava, Filippo; P., Vanni; C., Lanzieri; Canali, Claudio | |
Influence of substrate on the performance of semi-insulating GaAs detectors | 1-gen-2000 | R., Baldini; P., Vanni; Nava, Filippo; Canali, Claudio; C., Lanzieri | |
Two-dimensional numerical simulation of deep-level effects in 6H-SiC buried-gate JFETs | 1-gen-2001 | Verzellesi, Giovanni; G., Meneghesso; A., Cavallini; E., Zanoni; Canali, Claudio | |
Trap-related effects in 6H-SiC buried-gate JFETs | 1-gen-2001 | G., Meneghesso; Chini, Alessandro; E., Zanoni; Verzellesi, Giovanni; Tediosi, Erika; Canali, Claudio; A., Cavallini; A., Castaldini | |
Comprehensive experimental and numerical assessment of hot electron reliability of power HFETs | 1-gen-2001 | R., Menozzi; G., Sozzi; Verzellesi, Giovanni; Borgarino, Mattia; Canali, Claudio; C., Lanzieri | |
Surface-related kink effect in AlGaAs/GaAs power HFETs | 1-gen-2001 | Tediosi, Erika; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; G., Sozzi; R., Menozzi; C., Lanzieri | |
Influence of surface-trap dynamics on impact-ionization and kink phenomena in AlGaAs/GaAs HFETs | 1-gen-2001 | Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; Chini, Alessandro; G., Meneghesso; E., Zanoni; C., Lanzieri | |
Trap characterization in buried-gate n-channel 6H-SiC JFETs | 1-gen-2001 | Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Cavallini, A.; Canali, Claudio; Zanoni, E. | |
Dependence of impact ionization and kink on surface-deep-level dynamics in AlGaAs/GaAs HFETs | 1-gen-2001 | Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Vicini, L.; Canali, Claudio; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Lanzieri, C. | |
Experimental/numerical investigation of the physical mechanisms behind high-field degradation of power HFETs and their implications on device design | 1-gen-2001 | R., Menozzi; G., Sozzi; Verzellesi, Giovanni; Borgarino, Mattia; C., Lanzieri; Canali, Claudio | |
Measurements and simulations of hot-carrier degradation effects in AlGaAs/GaAs HFETs | 1-gen-2002 | Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; Canali, Claudio; G., Sozzi; R., Menozzi | |
Deep-level characterization in 6H-SiC JFETs by means of two-dimensional device simulations | 1-gen-2002 | Verzellesi, Giovanni; G., Meneghesso; Mazzanti, Andrea; Canali, Claudio; E., Zanoni | |
Numerical analysis of hot electron degradation modes in power HFETs | 1-gen-2002 | Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; G., Sozzi; R., Menozzi | |
Physical investigation of trap-related effects in power HFETs and their reliability implications | 1-gen-2002 | Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; G., Sozzi; R., Menozzi; C., Lanzieri; Canali, Claudio | |
Electric field distribution in irradiated silicon detectors | 1-gen-2002 | A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; Nava, Filippo; Canali, Claudio | |
Deep levels in silicon carbide Schottky diodes | 1-gen-2002 | A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; Nava, Filippo; Canali, Claudio; C., Lanzieri | |
Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs | 1-gen-2002 | Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri | |
Investigation on the charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode detector | 1-gen-2002 | Verzellesi, Giovanni; Vanni, Paolo; Nava, Filippo; Canali, Claudio | |
Physics-Based Explanation of Kink Dynamics in AlGaAs/GaAs HFETs | 1-gen-2002 | Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; G., Meneghesso; E., Zanoni |
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