EnglishWe present device simulation results showing that only a simultaneous, localised increase of the interface-state density at the gate-drain recess surface and of negative charge at the channel-buffer interface can thoroughly account for the hot-electron degradation modes observed experimentally in AlGaAs-GaAs HFETs, including drain saturation current degradation, reverse gate-current increase, kink and gate-lag enhancement.
| Data di pubblicazione: | 2002 |
| Titolo: | Numerical analysis of hot electron degradation modes in power HFETs |
| Autori: | A. MAZZANTI; G. VERZELLESI; C. CANALI; G. SOZZI; R. MENOZZI |
| Autori: | |
| Data del convegno: | Mar. 2002 |
| Nome del convegno: | Workshop on Physical Simulation of Semiconductor Devices (PSSD) |
| Luogo del convegno: | Leeds (UK), |
| Titolo del libro: | N/A |
| Appare nelle tipologie: | Relazione in Atti di Convegno |
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