In this paper, deep-level effects are investigated in 6H-SiC, buried gate, n-channel JFETs, by means of measurements and simulations of the drain-current transients following a gate-source step, allowing the energetic and spatial localization of the traps to be inferred.

Two-dimensional numerical simulation of deep-level effects in 6H-SiC buried-gate JFETs / Verzellesi, Giovanni; G., Meneghesso; A., Cavallini; E., Zanoni; Canali, Claudio. - STAMPA. - (2001), pp. 55-56. ((Intervento presentato al convegno European Heterostructure Technology Workshop tenutosi a Padova (Italy) nel Oct. 2001.

Two-dimensional numerical simulation of deep-level effects in 6H-SiC buried-gate JFETs

VERZELLESI, Giovanni;CANALI, Claudio
2001

Abstract

In this paper, deep-level effects are investigated in 6H-SiC, buried gate, n-channel JFETs, by means of measurements and simulations of the drain-current transients following a gate-source step, allowing the energetic and spatial localization of the traps to be inferred.
European Heterostructure Technology Workshop
Padova (Italy)
Oct. 2001
Verzellesi, Giovanni; G., Meneghesso; A., Cavallini; E., Zanoni; Canali, Claudio
Two-dimensional numerical simulation of deep-level effects in 6H-SiC buried-gate JFETs / Verzellesi, Giovanni; G., Meneghesso; A., Cavallini; E., Zanoni; Canali, Claudio. - STAMPA. - (2001), pp. 55-56. ((Intervento presentato al convegno European Heterostructure Technology Workshop tenutosi a Padova (Italy) nel Oct. 2001.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Caricamento pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11380/467023
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact