Investigation on the charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode detector

Verzellesi, Giovanni; Vanni, Paolo; Nava, Filippo; Canali, Claudio

We present experimental and theoretical data on the charge collection properties of a 4H-SiC epitaxial Schottky diode exposed to 5.48- and 2.00-MeV alpha particles. Hundred percent Charge Collection Efficiency (CCE) is, in particular, demonstrated for the 2.00-MeV alpha particles at reverse voltages higher than 40 V. By comparing measured CCE values with the outcomes of drift-diffusion simulations, a value of 500 ns is inferred for the hole lifetime within the lowly doped, active layer of virgin samples. The contributions of diffusion and funneling-assisted drift to CCE at low reverse voltages are pointed out.

Investigation on the charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode detector / Verzellesi, Giovanni; Vanni, Paolo; Nava, Filippo; Canali, Claudio. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. - ISSN 0168-9002. - STAMPA. - 476(2002), pp. 717-721.

Data di pubblicazione:	2002
Titolo:	Investigation on the charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode detector
Autore/i:	Verzellesi, Giovanni; Vanni, Paolo; Nava, Filippo; Canali, Claudio
Autore/i UNIMORE:	VERZELLESI, Giovanni VANNI, Paolo NAVA, Filippo CANALI, Claudio
Rivista:	NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT
Volume:	476
Pagina iniziale:	717
Pagina finale:	721
Codice identificativo ISI:	WOS:000173496700027
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-0037059395
Citazione:	Investigation on the charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode detector / Verzellesi, Giovanni; Vanni, Paolo; Nava, Filippo; Canali, Claudio. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. - ISSN 0168-9002. - STAMPA. - 476(2002), pp. 717-721.
Tipologia	Articolo su rivista

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http://hdl.handle.net/11380/304946

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