EnglishWe present experimental and theoretical data on the charge collection properties of a 4H-SiC epitaxial Schottky diode exposed to 5.48- and 2.00-MeV alpha particles. Hundred percent Charge Collection Efficiency (CCE) is, in particular, demonstrated for the 2.00-MeV alpha particles at reverse voltages higher than 40 V. By comparing measured CCE values with the outcomes of drift-diffusion simulations, a value of 500 ns is inferred for the hole lifetime within the lowly doped, active layer of virgin samples. The contributions of diffusion and funneling-assisted drift to CCE at low reverse voltages are pointed out.
| Anno di pubblicazione: | 2002 |
| Titolo: | Investigation on the charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode detector |
| Autori: | G. VERZELLESI; P. VANNI; F. NAVA; C. CANALI |
| Autori: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 476 |
| Pagina iniziale: | 717 |
| Pagina finale: | 721 |
| Appare nelle tipologie: | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/304946
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