NAVA, Filippo

NAVA, Filippo  

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Analysis of uniformity of as prepared and irradiated SI GaAs radiation detectors 1-gen-1998 Nava, Filippo; P., Vanni; C., Canali; G., Apostolo; C., Manfredotti; P., Polesello; E., Vittone
Characterisation of silicon carbide detectors response to electron and photon irradiation 1-gen-2001 M., Bruzzi; Nava, Filippo; S., Russo; S., Sciortino; P., Vanni
Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes 1-gen-2000 Verzellesi, Giovanni; Vanni, Paolo; Nava, Filippo; E., Vittone; C., Manfredotti; A., LO GIUDICE; A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; R., Nipoti; C., Donolato
Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes 1-gen-2001 Nava, Filippo; P., Vanni; Verzellesi, Giovanni; A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; R., Nipoti; C., Donolato
Deep levels in silicon carbide Schottky diodes 1-gen-2002 A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; Nava, Filippo; Canali, Claudio; C., Lanzieri
Diffusion coeffcient of electrons in Si 1-gen-1981 Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; Nava, Filippo; L., Reggiani; G., Bosman; R. J. J., Zijlstra
Diffusion coefficient of electrons in silicon 1-gen-1981 Brunetti, R.; Jacoboni, C.; Nava, F.; Reggiani, L.; Bosman, G.; Zijlstra, R. J. J.
Double-junction effect in proton-irradiated silicon diodes 1-gen-2002 A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; Canali, Claudio; Nava, Filippo
Effect of heavy proton and neutron irradiations on epitaxial 4H-SiC Schottky diodes 1-gen-2005 S., Sciortino; F., Hartjes; S., Lagomarsino; Nava, Filippo; M., Brianzi; V., Cindro; C., Lanzieri; M., Moll; P., Vanni
Electric field distribution in irradiated silicon detectors 1-gen-2002 A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; Nava, Filippo; Canali, Claudio
Electric-field behavior and charge-density distribution in semi-insulating gallium arsenide Schottky diodes 1-gen-1997 Castaldini, A; Cavallini, A; Polenta, L; Canali, C; Delpapa, C; Nava, Filippo
Electrical and optical properties of near-noble silicides 1-gen-1987 Bisi, Olmes; M. G., Betti; Nava, Filippo; A., Borghesi; G., Guizzetti; L., Nosenzo; A., Piaggi
Electrical and optical properties of silicide single crystals and thin films 1-gen-1993 Nava, Filippo; K. N., Tu; O., Thomas; J. P., Senateur; R., Madar; A., Borghesi; G., Guizzetti; U., Gottlieb; O., Laborde; Bisi, Olmes
Electrical and structural characterization of Nb - Si thin film alloys 1-gen-1986 Nava, Filippo; P., Psaras; H., Takai; K. N., Tu; Valeri, Sergio; Bisi, Olmes
Electrical characterization of alloy thin films of VSi2 and V3Si 1-gen-1986 Nava, Filippo; Bisi, Olmes; P., Psaras; H., Takai; K. N., Tu
Electrical transport properties of V3Si, V5Si3 and VSi2 thin films 1-gen-1986 Nava, Filippo; Bisi, Olmes; K. N., Tu
Epitaxial silicon carbide charge particle detectors 1-gen-1999 Nava, Filippo; P., Vanni; C., Lanzieri; Canali, Claudio
Epitaxial silicon carbide for X-ray detection 1-gen-2001 G., Bertuccio; R., Casiraghi; Nava, Filippo
Evidence for plasma effect on charge collection efficiency in proton irradiated GaAs detectors 1-gen-1999 Nava, Filippo; P., Vanni; Canali, Claudio; E., Vittone; P., Polesello; U., Biggeri; C., Leroy
Far Infrared Vibrational Spectroscopy in CrSi_2 1-gen-1990 A., Borghesi; A., Piaggi; Franchini, Anna; G., Guizzetti; Nava, Filippo; Santoro, Giorgio