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NAVA, Filippo
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| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | |
|---|---|---|---|
| 1 | Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes | 2000 | Verzellesi, Giovanni; Vanni, Paolo; Nava, Filippo; E., Vittone; C., Manfredotti; A., LO GIUDICE; A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; R., Nipoti; C., Donolato |
| 2 | Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes | 2001 | Nava, Filippo; P., Vanni; Verzellesi, Giovanni; A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; R., Nipoti; C., Donolato |
| 3 | Diffusion coeffcient of electrons in Si | 1981 | Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; Nava, Filippo; L., Reggiani; G., Bosman; R. J. J., Zijlstra |
| 4 | Diffusion coefficient of electrons in silicon | 1981 | Brunetti, R.; Jacoboni, C.; Nava, F.; Reggiani, L.; Bosman, G.; Zijlstra, R. J. J. |
| 5 | Electrical and optical properties of near-noble silicides | 1987 | Bisi, Olmes; M. G., Betti; Nava, Filippo; A., Borghesi; G., Guizzetti; L., Nosenzo; A., Piaggi |
| 6 | Electrical and optical properties of silicide single crystals and thin films | 1993 | Nava, Filippo; K. N., Tu; O., Thomas; J. P., Senateur; R., Madar; A., Borghesi; G., Guizzetti; U., Gottlieb; O., Laborde; Bisi, Olmes |
| 7 | Electrical and structural characterization of Nb - Si thin film alloys | 1986 | Nava, Filippo; P., Psaras; H., Takai; K. N., Tu; Valeri, Sergio; Bisi, Olmes |
| 8 | Electrical characterization of alloy thin films of VSi2 and V3Si | 1986 | Nava, Filippo; Bisi, Olmes; P., Psaras; H., Takai; K. N., Tu |
| 9 | Electrical transport properties of V3Si, V5Si3 and VSi2 thin films | 1986 | NAVA, Filippo; BISI, Olmes; K. N., TU |
| 10 | Far Infrared Vibrational Spectroscopy in CrSi_2 | 1990 | A., Borghesi; A., Piaggi; Franchini, Anna; G., Guizzetti; Nava, Filippo; Santoro, Giorgio |
| 11 | Far-infrared spectroscopy of thermally annealed tungsten silicide films | 1991 | M., Amiotti; A., Borghesi; G., Guizzetti; Nava, Filippo; Santoro, Giorgio |
| 12 | Investigation on the charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode detector | 2002 | Verzellesi, Giovanni; Vanni, Paolo; Nava, Filippo; Canali, Claudio |
| 13 | On the UV responsivity of neutron irradiated 4H-SiC | 2008 | Anna, Cavallini; Antonio, Castaldini; Nava, Filippo |
| 14 | Optical and vibrational properties of Cr and Fe disilicides | 1990 | A., Borghesi; A., Piaggi; A., Stella; G., Guizzetti; Nava, Filippo; Santoro, Giorgio |
| 15 | Polymerization and Characterization of 4,4’-bis(alkylsulfanyl)-2,2’-bithiophenes | 1999 | Iarossi, Dario; Mucci, Adele; Schenetti, Luisa; Seeber, Renato; F., Goldoni; Affronte, Marco; Nava, Filippo |
| 16 | Processing high-quality silicon for microstrip detectors | 1992 | Nava, Filippo; Ottaviani, Giampiero; Tonini, Rita; Frabboni, Stefano; A., Alberigi Quaranta; P., Cantoni; P. L., Frabetti; L., Stagni; G., Queirolo; P. F., Manfredi |
| 17 | Radiation detection properties of 4H-SiC Schottky diodes irradiated up to 10(16) n/cm(2) by 1 MeV neutrons | 2006 | Nava, Filippo; A., Castaldini; A., Cavallini; P., Errani; V., Cindro |
| 18 | Radiation tolerance of epitaxial silicon carbide detectors for electrons, protons and gamma-rays | 2003 | Nava, Filippo; E., Vittone; P., Vanni; Verzellesi, Giovanni; Pg, Fuochi; C., Lanzieri; M., Glaser |
| 19 | Silicon Carbide and its use as a radiation detector material | 2008 | Nava, Filippo; G., Bertuccio; A., Cavallini; E., Vittone |
| 20 | Silicon carbide for alpha, beta, ion and soft X-ray high performance detectors | 2005 | Bertuccio, G; Binetti, S; Caccia, S; Casiraghi, R; Castaldini, A; Cavallini, A; Lanzieri, C; Le Donne, A; Nava, Filippo; Pizzini, S; Rigutti, L; Verzellesi, Giovanni; Vittone, E. |
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