Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes / Verzellesi, Giovanni; Vanni, Paolo; Nava, Filippo; E., Vittone; C., Manfredotti; A., LO GIUDICE; A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; R., Nipoti; C., Donolato. - STAMPA. - (2000), pp. 95-95. ((Intervento presentato al convegno European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) tenutosi a Kloster Banz (Germany) nel Sept. 2000.

Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes

VERZELLESI, Giovanni;VANNI, Paolo;NAVA, Filippo;
2000

European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM)
Kloster Banz (Germany)
Sept. 2000
Verzellesi, Giovanni; Vanni, Paolo; Nava, Filippo; E., Vittone; C., Manfredotti; A., LO GIUDICE; A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; R., Nipoti; C., Donolato
Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes / Verzellesi, Giovanni; Vanni, Paolo; Nava, Filippo; E., Vittone; C., Manfredotti; A., LO GIUDICE; A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; R., Nipoti; C., Donolato. - STAMPA. - (2000), pp. 95-95. ((Intervento presentato al convegno European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) tenutosi a Kloster Banz (Germany) nel Sept. 2000.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Caricamento pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/467017
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact