Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes / Verzellesi, G., Vanni, P., Nava, F., E., V., C., M., A., L.G., A., C., A., C., L., P., R., N., C., D.. - STAMPA. - (2000), pp. 95-95. (European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) Kloster Banz (Germany) Sept. 2000).

Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes

VERZELLESI, Giovanni;VANNI, Paolo;NAVA, Filippo;
2000
2000
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM)
Kloster Banz (Germany)
Sept. 2000
Verzellesi, Giovanni; Vanni, Paolo; Nava, Filippo; E., Vittone; C., Manfredotti; A., Lo Giudice; A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; R., Nipot...espandi
Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes / Verzellesi, G., Vanni, P., Nava, F., E., V., C., M., A., L.G., A., C., A., C., L., P., R., N., C., D.. - STAMPA. - (2000), pp. 95-95. (European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) Kloster Banz (Germany) Sept. 2000).
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