Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes

Nava, Filippo; Vanni, P.; Verzellesi, Giovanni; Castaldini, A.; Cavallini, A.; Polenta, L.; Nipoti, R.; Donolato, C.

doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.353-356.757

This work presents measurements of the charge-collection properties of 4H-SiC Schottky diodes under alpha radiation and investigates the influence of native and alpha induced defects on the detector performance. The contribution of the diffusion of minority carriers to the charge collection efficiency is pointed out. Vaues of 500 ns and 95 us are inferred for the hole and electron lifetime respectively.

Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes / Nava, Filippo; P., Vanni; Verzellesi, Giovanni; A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; R., Nipoti; C., Donolato. - STAMPA. - 353-356(2001), pp. 757-762. ((Intervento presentato al convegno 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials tenutosi a KLOSTER BANZ, GERMANY nel SEP, 2000.

Data di pubblicazione:	2001
Titolo:	Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes
Autore/i:	Nava, Filippo; P., Vanni; Verzellesi, Giovanni; A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; R., Nipoti; C., Donolato
Autore/i UNIMORE:	NAVA, Filippo P. Vanni VERZELLESI, Giovanni A. Castaldini A. Cavallini L. Polenta R. Nipoti C. Donolato mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.353-356.757
Nome del convegno:	3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
Luogo del convegno:	KLOSTER BANZ, GERMANY
Data del convegno:	SEP, 2000
Volume:	353-356
Pagina iniziale:	757
Pagina finale:	762
Citazione:	Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes / Nava, Filippo; P., Vanni; Verzellesi, Giovanni; A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; R., Nipoti; C., Donolato. - STAMPA. - 353-356(2001), pp. 757-762. ((Intervento presentato al convegno 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials tenutosi a KLOSTER BANZ, GERMANY nel SEP, 2000.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/305818

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