EnglishThis work presents measurements of the charge-collection properties of 4H-SiC Schottky diodes under alpha radiation and investigates the influence of native and alpha induced defects on the detector performance. The contribution of the diffusion of minority carriers to the charge collection efficiency is pointed out. Vaues of 500 ns and 95 us are inferred for the hole and electron lifetime respectively.
| Anno di pubblicazione: | 2001 |
| Titolo: | Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes |
| Autori: | F. Nava; P. Vanni; G. Verzellesi; A. Castaldini; A. Cavallini; L. Polenta; R. Nipoti; C. Donolato |
| Autori: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 353-356 |
| Pagina iniziale: | 757 |
| Pagina finale: | 762 |
| Appare nelle tipologie: | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/305818
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