EnglishThis work presents measurements of the charge-collection properties of 4H-SiC Schottky diodes under alpha radiation and investigates the influence of native and alpha induced defects on the detector performance. The contribution of the diffusion of minority carriers to the charge collection efficiency is pointed out. Vaues of 500 ns and 95 us are inferred for the hole and electron lifetime respectively.
| Data di pubblicazione: | 2001 |
| Titolo: | Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes |
| Autore/i: | Nava, Filippo; P., Vanni; Verzellesi, Giovanni; A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; R., Nipoti; C., Donolato |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.353-356.757 |
| Nome del convegno: | 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials |
| Luogo del convegno: | KLOSTER BANZ, GERMANY |
| Data del convegno: | SEP, 2000 |
| Volume: | 353-356 |
| Pagina iniziale: | 757 |
| Pagina finale: | 762 |
| Citazione: | Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes / Nava, Filippo; P., Vanni; Verzellesi, Giovanni; A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; R., Nipoti; C., Donolato. - STAMPA. - 353-356(2001), pp. 757-762. ((Intervento presentato al convegno 3rd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials tenutosi a KLOSTER BANZ, GERMANY nel SEP, 2000. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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http://hdl.handle.net/11380/305818
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