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Gate-lag effects in AlGaAs/GaAs power HFET's 1-gen-2001 Borgarino, Mattia; G., Sozzi; Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni
Dependence of impact ionization and kink on surface-deep-level dynamics in AlGaAs/GaAs HFETs 1-gen-2001 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Vicini, L.; Canali, Claudio; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Lanzieri, C.
Influence of surface-trap dynamics on impact-ionization and kink phenomena in AlGaAs/GaAs HFETs 1-gen-2001 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; Chini, Alessandro; G., Meneghesso; E., Zanoni; C., Lanzieri
Measurements and simulations of hot-carrier degradation effects in AlGaAs/GaAs HFETs 1-gen-2002 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; Canali, Claudio; G., Sozzi; R., Menozzi
Physical investigation of trap-related effects in power HFETs and their reliability implications 1-gen-2002 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; G., Sozzi; R., Menozzi; C., Lanzieri; Canali, Claudio
Numerical analysis of hot electron degradation modes in power HFETs 1-gen-2002 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; G., Sozzi; R., Menozzi
Experimental and numerical analysis of gate- and drain-lag phenomena in AlGaAs/InGaAs PHEMTs 1-gen-2002 Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; E., Manzini; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; R., Pierobon; C., Lanzieri
Deep-level characterization in 6H-SiC JFETs by means of two-dimensional device simulations 1-gen-2002 Verzellesi, Giovanni; G., Meneghesso; Mazzanti, Andrea; Canali, Claudio; E., Zanoni
Physics-Based Explanation of Kink Dynamics in AlGaAs/GaAs HFETs 1-gen-2002 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; G., Meneghesso; E., Zanoni
Study on the origin of dc-to-RF dispersion effects in GaAs- and GaN-based heterostructure FETs 1-gen-2003 Verzellesi, Giovanni; Mazzanti, Andrea; Canali, Claudio; Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Zanoni, E.
Impact of temperature on surface-trap-induced gate-lag effects in GaAs heterostructure FETs 1-gen-2003 Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; Canali, Claudio; G., Meneghesso; E., Zanoni
Serendipitous noise reduction in inductively degenerated CMOS RF LNAs 1-gen-2003 P., Rossi; P., Andreani; Mazzanti, Andrea; F., Svelto
Injection Locking LC Dividers for Low Power Quadrature Generation 1-gen-2003 Mazzanti, Andrea; P., Uggetti; P., Rossi; F., Svelto
Experimental and numerical assessment of gate-lag phenomena in AlGaAs-GaAs heterostructure field-effect transistors (FETs) 1-gen-2003 Verzellesi, Giovanni; Mazzanti, Andrea; Basile, Alberto Francesco; A., Boni; E., Zanoni; Canali, Claudio
Energetic and spatial localisation of deep-level traps responsible for DC-to-RF dispersion effects in AlGaAs-GaAs HFETs 1-gen-2003 Verzellesi, Giovanni; Basile, Alberto Francesco; Mazzanti, Andrea; A., Cavallini; Canali, Claudio
Injection Locked Coupled VCOs for Low Phase Noise and HighAccuracy Quadrature Generation 1-gen-2004 Mazzanti, Andrea; P., Uggetti; F., Svelto
Injection Locked Oscillators for Quadrature Generation at Radio Frequency 1-gen-2004 Mazzanti, Andrea; F., Svelto
Analysis and design of a dual band reconfigurable VCO 1-gen-2004 Mazzanti, Andrea; P., Uggetti; R., Battaglia; F., Svelto
Analysis and Design of Injection-Locked LC Dividers for Quadrature Generation 1-gen-2004 Mazzanti, Andrea; P., Uggetti; F., Svelto
A 1.4GHz – 2GHz Wideband CMOS Class-E Power Amplifier Delivering 22dBm peak with 67% PAE 1-gen-2005 Mazzanti, Andrea; Larcher, Luca; Brama, Riccardo; F., Svelto
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