ItalianoASANOVSKI, RUBEN
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ASANOVSKI, RUBEN
Dipartimento di Ingegneria "Enzo Ferrari"
Pubblicazioni
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| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | |
|---|---|---|---|
| 1 | 1/f noise model based on trap-assisted tunneling for ultra-thin oxides MOSFETs | 2020 | Caruso, Enrico; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Asanovski, Ruben |
| 2 | A Comprehensive Gate and Drain Trapping/Detrapping Noise Model and Its Implications for Thin-Dielectric MOSFETs | 2021 | Asanovski, R.; Palestri, P.; Caruso, E.; Selmi, L. |
| 3 | Importance of Charge Trapping/Detrapping Involving the Gate Electrode on the Noise Currents of Scaled MOSFETs | 2022 | Asanovski, R.; Palestri, P.; Selmi, L. |
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