Investigating the correlation between interface and dielectric trap densities in aged p-MOSFETs using current-voltage, charge pumping, and 1/f noise characterization techniques / Asanovski, Ruben; Franco, Jacopo; Palestri, Pierpaolo; Kaczer, Ben; Selmi, Luca. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 207:(2023), pp. 1-5. [10.1016/j.sse.2023.108722]

Investigating the correlation between interface and dielectric trap densities in aged p-MOSFETs using current-voltage, charge pumping, and 1/f noise characterization techniques

Asanovski, Ruben;Palestri, Pierpaolo;Selmi, Luca
2023

2023
26-lug-2023
207
1
5
Investigating the correlation between interface and dielectric trap densities in aged p-MOSFETs using current-voltage, charge pumping, and 1/f noise characterization techniques / Asanovski, Ruben; Franco, Jacopo; Palestri, Pierpaolo; Kaczer, Ben; Selmi, Luca. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 207:(2023), pp. 1-5. [10.1016/j.sse.2023.108722]
Asanovski, Ruben; Franco, Jacopo; Palestri, Pierpaolo; Kaczer, Ben; Selmi, Luca
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
1-s2.0-S0038110123001351-main.pdf

Open access

Tipologia: Versione pubblicata dall'editore
Dimensione 1.31 MB
Formato Adobe PDF
1.31 MB Adobe PDF Visualizza/Apri
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/1312646
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 1
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 1
social impact