ItalianoSELMI, LUCA
Pubblicazioni
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| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | |
|---|---|---|---|
| 1 | 1/f noise model based on trap-assisted tunneling for ultra-thin oxides MOSFETs | 2020 | Caruso, Enrico; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; Asanovski, Ruben |
| 2 | 3D-FBK pixelsensors:Recent beam tests results with irradiated devices | 2011 | Micelli, Andrea; K., Helle; H., Sandaker; B., Stugu; M., Barbero; F., Hugging; M., Karagounis; V., Kostyukhin; H., Kruger; J. W., Tsung; N., Wermes; M., Capua; S., Fazio; A., Mastroberardino; G., Susinno; C., Gallrapp; B., Digirolamo; D., Dobos; A., Larosa; H., Pernegger; S., Roe; T., Slavicek; S., Pospisil; K., Jakobs; M., Kohler; U., Parzefall; G., Darbo; G., Gariano; C., Gemmeg; A., Rovani; E., Ruscino; C., Butter; R., Bates; V., Oshea; S., Parker; M., Cavalli Sforza; S., Grinstein; I., Korokolov; C., Pradilla; K., Einsweiler; M., Garcia Sciveres; M., Borri; C., Davia; J., Freestone; S., Kolya; C. H., Lail; C., Nellist; J., Pater; R., Thompson; S. J., Watts; M., Hoeferkampm; S., Seidelm; E., Bolle; H., Gjersdal; K. N., Sjoebaek; S., Stapnes; O., Rohne; D., Suo; C., Young; P., Hansson; P., Grenier; J., Hasi; C., Kenney; M., Kocian; P., Jackson; D., Silverstein; H., Davetak; B., Dewilde; D., Tsybychev; G. F., Dallabetta; P., Gabos; M., Povoli; Cobal, Marina; Giordani, Mario; Selmi, Luca; Cristofoli, Andrea; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; C., Fleta; M., Lozano; G., Pellegrini; M., Boscardin; A., Bagolini; C., Piemonte; S., Ronchin; N., Zorzi; T. E., Hansen; T., Hansen; A., Kok; N., Lietaer; J., Kalliopuska; A., Oja |
| 3 | A better insight in the performance of silicon bjt's featuring highly non-uniform collector doping profiles | 2000 | Palestri, Pierpaolo; Fiegna, C.; Selmi, Luca; Peter, M. S.; Hurkx, G. A. M.; Slotboom, J. W.; Sangiorgi, Enrico |
| 4 | A Better Understanding of Substrate Enhanced Gate Current in VLSI MOSFET's and Flash Cells - Part II: Physical Analysis | 1999 | Selmi, Luca; Esseni, David |
| 5 | A better understanding of the requirements for predictive modeling of strain engineering in nMOS transistors | 2008 | Comparone, G; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Lucci, L; Selmi, Luca |
| 6 | A combined transport-injection model for hot-electron and hot-hole injection in the gate oxide of MOS structures | 1994 | A., Ghetti; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico; Abramo, Antonio; F., Venturi |
| 7 | A Comparative Analysis of Substrate Current Generation Mechanism in Tunneling MOS Capacitors | 2002 | Palestri, P.; Pavesi, M.; Rigolli, P.; Selmi, L; DALLA SERRA, A.; Abramo, A.; Widdershoven, F.; Sangiorgi, E. |
| 8 | A Comparative Analysis of Substrate Current Generation Mechanisms in Tunneling MOS Capacitors | 2002 | Palestri, Pierpaolo; DALLA SERRA, Alberto; Selmi, Luca; M., Pavesi; Rigolli, P. L.; Abramo, Antonio; F., Widdershoven; Sangiorgi, Enrico |
| 9 | A Comparative Study of Hot-Carrier Induced Light Emission and Degradation in Bulk and SOI MOSFETs | 1995 | Selmi, Luca; Pavesi, M; WONG H., S; Acovic, A; Sangiorgi, Enrico |
| 10 | A comparison between semi-classical and quantum-mechanical escape-times for gate current calculations | 2000 | DALLA SERRA, Alberto; Abramo, Antonio; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca |
| 11 | A comparison of advanced transport models for the computation of the drain current in nanoscale nMOSFETs | 2009 | Palestri, Pierpaolo; C., Alexander; A., Asenov; V., Aubry Fortuna; G., Baccarani; A., Bournel; M., Braccioli; B., Cheng; P., Dollfus; A., Esposito; Esseni, David; C., Fenouillet Beranger; C., Fiegna; G., Fiori; A., Ghetti; G., Iannaccone; A., Martinez; B., Majkusiak; S., Monfray; V., Peikert; S., Reggiani; C., Riddet; J., Saint Martin; E., Sangiorgi; A., Schenk; Selmi, Luca; L., Silvestri; Toniutti, Paolo; J., Walczak |
| 12 | A Consistent Explanation of the Role of the SiN Composition on the Program/Retention Characteristics of MANOS and NROM like Memories | 2010 | Vianello, Elisa; Nowak, E; Perniola, L; Driussi, Francesco; Blaise, P; Molas, G; DE SALVO, B; Selmi, Luca |
| 13 | A design methodology for MOS Current-Mode Logic Frequency Dividers | 2007 | Nonis, R; Palumbo, E; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca |
| 14 | A Methodology to Extract the Channel Current of Permeable Gate MOSFETs | 2003 | Palestri, P.; Esseni, D.; Selmi, L; Guegan, G.; Sangiorgi, E. |
| 15 | A model for robust electrostatic design of nanowire FETs with arbitrary polygonal cross sections | 2009 | DE MICHIELIS, Luca; Selmi, Luca; Ionescu, A. M. |
| 16 | A Model to Understand Current Consumption, Maximum Operating Frequency And Scaling Trends Of MCML Frequency Dividers | 2006 | Nonis, Roberto; Palumbo, Enzo; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca |
| 17 | A Monte Carlo Study of the Role of Scattering in Deca-nanometer MOSFETs | 2004 | Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; S., Eminente; C., Fiegna; E., Sangiorgi; Selmi, Luca |
| 18 | A Monte Carlo Technique to Investigate Signal Delays of Advanced Si BJT's up to High Currents | 2000 | Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; G. A. M., Hurkx; J. W., Slotboom |
| 19 | A Multi-Subband Monte Carlo study of electron transport in strained SiGe n-type FinFETs | 2012 | Lizzit, Daniel; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Conzatti, Francesco; Selmi, Luca |
| 20 | A new analytical model for the energy dispersion in two-dimensional hole inversion layers | 2007 | DE MICHIELIS, Marco; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca |
Dettaglio
SELMI, LUCA
Dipartimento di Ingegneria "Enzo Ferrari"
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