On the Output Conductance Dispersion due to Traps and Self-Heating in Large Bulk, FDSOI and FinFET nMOS Devices / Tondelli, L.; Scholten, A. J.; Asanovski, R.; Pijper, R. M. T.; Dinh, T. V.; Selmi, L.. - (2024), pp. 345-348. (Intervento presentato al convegno 50th IEEE European Solid-State Electronics Research Conference, ESSERC 2024 tenutosi a Bruges nel 9-12 september 2024) [10.1109/ESSERC62670.2024.10719502].
On the Output Conductance Dispersion due to Traps and Self-Heating in Large Bulk, FDSOI and FinFET nMOS Devices
Tondelli L.;Asanovski R.;Selmi L.
2024
File in questo prodotto:
| File | Dimensione | Formato | |
|---|---|---|---|
|
OnTheOutputConductance.pdf
Accesso riservato
Tipologia:
Versione dell'autore revisionata e accettata per la pubblicazione
Dimensione
3.89 MB
Formato
Adobe PDF
|
3.89 MB | Adobe PDF | Visualizza/Apri Richiedi una copia |
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
