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Temperature-Independent Current Dispersion in 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs for 5G Applications 1-gen-2022 Zagni, Nicolo'; Verzellesi, Giovanni; Chini, Alessandro
Microwave and millimeter-wave GaN HEMTs: impact of epitaxial structure on short-channel effects, electron trapping and reliability 1-gen-2023 Zanoni, Enrico; Gao, Zhan; Fornasier, Mirko; Saro, Marco; Rampazzo, Fabiana; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Cioni, Marcello; Zagni, Nicolo'; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni
Modelling and Simulation of ON-Resistance Instability due to Gate Bias in p-GaN Power HEMTs 1-gen-2023 Zagni, N.; Chini, A.; Verzellesi, G.; Cioni, M.; Giorgino, G.; Nicotra, M. C.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.
Negative Capacitors and Applications 1-gen-2023 Ashraful Alam, Muhammad; Zagni, Nicolo'; Kumar Saha, Atanu; Thakuria, Niharika; Thirumala, Sandeep; Kumar Gupta, Sumeet
Unveiling the Role of Hole Barrier Traps on ON-Resistance Instability after Gate Bias Stress in p-GaN Power HEMTs 1-gen-2023 Zagni, Nicolo'; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Cioni, Marcello; Giorgino, Giovanni; Nicotra, Maria Concetta; Eloisa Castagna, Maria; Iucolano, Ferdinando
Reliability of HfO2-Based Ferroelectric FETs: A Critical Review of Current and Future Challenges 1-gen-2023 Zagni, Nicolo'; Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Alam, Muhammad Ashraful
Mechanisms of Step-Stress Degradation In Carbon-Doped 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs for Power RF Applications 1-gen-2023 Zagni, Nicolo'; Zhan, Veronica Gao; Verzellesi, Giovanni; Chini, Alessandro; Pantellini, Alessio; Natali, Marco; Lucibello, Andrea; Latessa, Luca; Lanzieri, Claudio; Santi, Carlo De; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Gate-Bias Induced RON Instability in p-GaN Power HEMTs 1-gen-2023 Chini, Alessandro; Zagni, Nicolo'; Verzellesi, Giovanni; Cioni, Marcello; Giorgino, Giovanni; Nicotra, Maria Concetta; Castagna, Maria Eloisa; Iucolano, Ferdinando
An Aqueous Route to Oxygen-Deficient Wake-Up-Free La-Doped HfO2 Ferroelectrics for Negative Capacitance Field Effect Transistors 1-gen-2023 Pujar, Pavan; Cho, Haewon; Kim, Young-Hoon; Zagni, Nicolo; Oh, Jeonghyeon; Lee, Eunha; Gandla, Srinivas; Nukala, Pavan; Kim, Young-Min; Alam, Muhammad Ashraful; Kim, Sunkook
On-Wafer RONDegradation Analysis of 100 v p-GaN HEMTs Emulating Low-and High-Side Operation in Half Bridge Circuits 1-gen-2024 Modica, L.; Zagni, N.; Orlandini, D.; Cioni, M.; Cappellini, G.; Castagna, M. E.; Giorgino, G.; Iucolano, F.; Verzellesi, G.; Chini, A.
RON Degradation Mechanisms of ON-Wafer 100-V p-GaN HEMTs Emulating Monolithically Integrated Half-Bridge Circuits 1-gen-2024 Zagni, Nicolo'; Modica, Lorenzo; Cioni, Marcello; Cappellini, Giacomo; Castagna, Maria Eloisa; Giorgino, Giovanni; Iucolano, Ferdinando; Verzellesi, Giovanni; Chini, Alessandro
Physical insights into trapping effects on vertical GaN-on-Si trench MOSFETs from TCAD 1-gen-2024 Zagni, Nicolo'; Fregolent, Manuel; Del Fiol, Andrea; Favero, Davide; Bergamin, Francesco; Verzellesi, Giovanni; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Huber, Christian; Meneghini, Matteo; Pavan, Paolo
Experimental and Numerical Analysis of OFFState Bias Induced Instabilities in Vertical GaNon-Si Trench MOSFETs 1-gen-2024 Zagni, N.; Fregolent, M.; Verzellesi, G.; Bergamin, F.; Favero, D.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Huber, C.; Meneghini, M.; Pavan, P.
Correlating Interface and Border Traps With Distinctive Features of C–V Curves in Vertical Al$_{\text{2}}$O$_{\text{3}}$/GaN MOS Capacitors 1-gen-2024 Zagni, Nicolo'; Fregolent, Manuel; Verzellesi, Giovanni; Marcuzzi, Alberto; Santi, Carlo De; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Treidel, Eldad Bahat; Brusaterra, Enrico; Brunner, Frank; Hilt, Oliver; Meneghini, Matteo; Pavan, Paolo
Microwave and Millimeter-Wave GaN HEMTs: Impact of Epitaxial Structure on Short-Channel Effects, Electron Trapping, and Reliability 1-gen-2024 Zanoni, Enrico; Santi, Carlo De; Gao, Zhan; Buffolo, Matteo; Fornasier, Mirko; Saro, Marco; Pieri, Francesco De; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zagni, Nicolo'; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni
Physics of Phase Transition Switches 1-gen-2024 Alam, Muhammad Ashraful; Zagni, Nicolo'
From Planar to Vertical GaN-on-Si Power Devices: Reliability Challenges to Efficient Power Conversion (Invited) 1-gen-2024 Zagni, N.
On the Dynamic RON, Vertical Leakage and Capacitance Behavior in pGaN HEMTs With Heavily Carbon-Doped Buffers 1-gen-2024 Cioni, Marcello; Chini, Alessandro; Zagni, Nicolo'; Verzellesi, Giovanni; Giorgino, Giovanni; Cappellini, Giacomo; Miccoli, Cristina; Toulon, Gaetan; Wakrim, Tariq; Eloisa Castagna, Maria; Constant, Aurore; Iucolano, Ferdinando
Hole Virtual Gate Model Explaining Surface-Related Dynamic RON in p-GaN Power HEMTs 1-gen-2024 Zagni, N.; Verzellesi, G.; Bertacchini, A.; Borgarino, M.; Iucolano, F.; Chini, A.
Vertical GaN Devices: Reliability Challenges and Lessons Learned from Si and SiC 1-gen-2024 Meneghini, M.; Fregolent, M.; Zagni, N.; Hamadoui, Y.; Marcuzzi, A.; Favero, D.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Tomasi, M.; Zappala, G.; Bahat-Treidel, E.; Brusaterra, E.; Brunner, F.; Hilt, O.; Huber, C.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Verzellesi, G.; Pavan, P.; Zanoni, E.
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