Modelling and Simulation of ON-Resistance Instability due to Gate Bias in p-GaN Power HEMTs / Zagni, N.; Chini, A.; Verzellesi, G.; Cioni, M.; Giorgino, G.; Nicotra, M. C.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.. - (2023). (Intervento presentato al convegno 46th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe & 17th Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (WOCSDICE-EXMATEC 2023) tenutosi a Palermo (Italy) nel 21-25 May 2023).
Modelling and Simulation of ON-Resistance Instability due to Gate Bias in p-GaN Power HEMTs
N. Zagni;A. Chini;G. Verzellesi;G. Giorgino;
2023
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