GIORGINO, GIOVANNI
GIORGINO, GIOVANNI
Dipartimento di Ingegneria "Enzo Ferrari"
GaN on Si Power and RF Devices and Application
2023 Castagna, M. E.; Marchesi, M.; Miccoli, C.; Moschetti, M.; Giorgino, G.; Cioni, M.; Tringali, C.; Chini, A.; Iucolano, F.
Impact of Gate and Drain Leakage on VTHDrift and Dynamic-RONof 100V p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs
2023 Cioni, M.; Giorgino, G.; Chini, A.; Parisi, A.; Cappellini, G.; Modica, L.; Luongo, G.; Miccoli, C.; Castagna, M. E.; Moschetti, M.; Tringali, C.; Iucolano, F.
Impact of Process Variations on Back-Bias Effect in 100V p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs
2023 Cioni, M.; Giorgino, G.; Chini, A.; Marletta, G.; Miccoli, C.; Castagna, M. E.; Luongo, G.; Moschetti, M.; Tringali, C.; Iucolano, F.
Improved High Temperature Behaviour of On-Resistance in 100V p-GaN HEMTs
2023 Giorgino, G.; Cioni, M.; Cappellini, G.; Iucolano, F.; Miccoli, C.; Castagna, M. E.; Moschetti, M.; Tringali, C.; Chini, A.
Modelling and Simulation of ON-Resistance Instability due to Gate Bias in p-GaN Power HEMTs
2023 Zagni, N.; Chini, A.; Verzellesi, G.; Cioni, M.; Giorgino, G.; Nicotra, M. C.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.
Study of 100V GaN power devices in dynamic condition and GaN RF device performances in sub-6GHz frequencies
2023 Giorgino, G.; Cioni, M.; Miccoli, C.; Gervasi, L.; Giuffrida, M. F. S.; Ruvolo, M.; Castagna, M. E.; Cappellini, G.; Luongo, G.; Moschetti, M.; Constant, A.; Tringali, C.; Iucolano, F.; Chini, A.
Temperature Effect on RON-degradation induced by Off-state Drain Voltage Stress
2023 Cioni, M.; Giorgino, G.; Cappellini, G.; Chini, A.; Miccoli, C.; Castagna, M. E.; Moschetti, M.; Tringali, C.; Iucolano, F.
Unveiling the Role of Hole Barrier Traps on ON-Resistance Instability after Gate Bias Stress in p-GaN Power HEMTs
2023 Zagni, Nicolo'; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Cioni, Marcello; Giorgino, Giovanni; Nicotra, Maria Concetta; Eloisa Castagna, Maria; Iucolano, Ferdinando
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| GaN on Si Power and RF Devices and Application | 1-gen-2023 | Castagna, M. E.; Marchesi, M.; Miccoli, C.; Moschetti, M.; Giorgino, G.; Cioni, M.; Tringali, C.; Chini, A.; Iucolano, F. | |
| Impact of Gate and Drain Leakage on VTHDrift and Dynamic-RONof 100V p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs | 1-gen-2023 | Cioni, M.; Giorgino, G.; Chini, A.; Parisi, A.; Cappellini, G.; Modica, L.; Luongo, G.; Miccoli, C.; Castagna, M. E.; Moschetti, M.; Tringali, C.; Iucolano, F. | |
| Impact of Process Variations on Back-Bias Effect in 100V p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs | 1-gen-2023 | Cioni, M.; Giorgino, G.; Chini, A.; Marletta, G.; Miccoli, C.; Castagna, M. E.; Luongo, G.; Moschetti, M.; Tringali, C.; Iucolano, F. | |
| Improved High Temperature Behaviour of On-Resistance in 100V p-GaN HEMTs | 1-gen-2023 | Giorgino, G.; Cioni, M.; Cappellini, G.; Iucolano, F.; Miccoli, C.; Castagna, M. E.; Moschetti, M.; Tringali, C.; Chini, A. | |
| Modelling and Simulation of ON-Resistance Instability due to Gate Bias in p-GaN Power HEMTs | 1-gen-2023 | Zagni, N.; Chini, A.; Verzellesi, G.; Cioni, M.; Giorgino, G.; Nicotra, M. C.; Castagna, M. E.; Iucolano, F. | |
| Study of 100V GaN power devices in dynamic condition and GaN RF device performances in sub-6GHz frequencies | 1-gen-2023 | Giorgino, G.; Cioni, M.; Miccoli, C.; Gervasi, L.; Giuffrida, M. F. S.; Ruvolo, M.; Castagna, M. E.; Cappellini, G.; Luongo, G.; Moschetti, M.; Constant, A.; Tringali, C.; Iucolano, F.; Chini, A. | |
| Temperature Effect on RON-degradation induced by Off-state Drain Voltage Stress | 1-gen-2023 | Cioni, M.; Giorgino, G.; Cappellini, G.; Chini, A.; Miccoli, C.; Castagna, M. E.; Moschetti, M.; Tringali, C.; Iucolano, F. | |
| Unveiling the Role of Hole Barrier Traps on ON-Resistance Instability after Gate Bias Stress in p-GaN Power HEMTs | 1-gen-2023 | Zagni, Nicolo'; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Cioni, Marcello; Giorgino, Giovanni; Nicotra, Maria Concetta; Eloisa Castagna, Maria; Iucolano, Ferdinando |