SOCI, FABIO

SOCI, FABIO  

Dipartimento di Ingegneria "Enzo Ferrari"  

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Correlation between Drain Current Transient and Double-Pulse Measurements in AlGaN/GaN HEMT Trap Analysis 1-gen-2012 Bisi, D.; Stocco, A.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Soci, Fabio; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
DC and Pulsed Characterization of GaN-based Single- and Double- Heterostructure Devices 1-gen-2011 Zanandrea, A.; Rampazzo, F.; Stocco, A.; Zanoni, E.; Bisi, D.; Soci, Fabio; Chini, Alessandro; Ivo, P.; Wuerfl, J.; Meneghesso, G.
Deep levels characterization in GaN HEMTs - Part II: Experimental and numerical evaluation of self-heating effects on the extraction of traps activation energy 1-gen-2013 Chini, Alessandro; Soci, Fabio; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Effect of Gate Field-Plate Geometry on On-Resistance in AlGan/GaN HEMTs for Power Applications 1-gen-2014 Soci, Fabio; Pozzovivo, G.; Silvestri, M.; Curatola, G.; Detzel, T.; Haeberlen, O.; Chini, Alessandro
Effects of buffer compensation strategies on the electrical performance and RF reliability of AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2015 Bisi, D.; Stocco, A.; Rossetto, I.; Meneghini, M.; Rampazzo, F.; Chini, Alessandro; Soci, Fabio; Pantellini, A.; Lanzieri, C.; Gamarra, P.; Lacam, C.; Tordjman, M.; Di Forte Poisson, M. A.; De Salvador, D.; Bazzan, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Experimental and numerical correlation between current-collapse and fe-doping profiles in GaN HEMTs 1-gen-2012 Chini, Alessandro; DI LECCE, Valerio; Soci, Fabio; D., Bisi; A., Stocco; M., Meneghini; G., Meneghesso; E., Zanoni; A., Gasparotto
Experimental Technique for Traps Spatial Localization in GaN HEMTs 1-gen-2013 Chini, Alessandro; Soci, Fabio; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Field plate related reliability improvements in GaN-on-Si HEMTs 1-gen-2012 Chini, Alessandro; Soci, Fabio; Fantini, Fausto; Nanni, A.; Pantellini, A.; Lanzieri, C.; Bisi, D.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Hot-Electron Degradation of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors During RF Operation: Correlation With GaN Buffer Design 1-gen-2015 Bisi, D.; Chini, Alessandro; Soci, Fabio; Stocco, A.; Meneghini, M.; Pantellini, A.; Nanni, A.; Lanzieri, C.; Gamarra, P.; Lacam, C.; Tordjman, M.; di Forte Poisson, M. A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Impact of field-plate geometry on the reliability of GaN-on-SiC HEMTs 1-gen-2013 Chini, Alessandro; Soci, Fabio; Fantini, Fausto; Nanni, A.; Pantellini, A.; Lanzieri, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Impact of Hot Electrons on the Reliability of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors 1-gen-2011 Rampazzo, F.; Stocco, A.; Silvestri, R.; Meneghini, M.; Ronchi, N.; Bisi, D.; Soci, Fabio; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Influence of device self-heating on trap activation energy extraction 1-gen-2013 Soci, Fabio; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Influence of properties of Si3N4 passivation layer on the electrical characteristics of Normally-off AlGaN/GaN HEMT 1-gen-2013 Iucolano, F.; Miccoli, C.; Nicotra, M.; Stocco, A.; Rampazzo, F.; Zanandrea, A.; Cinnera, M. V.; Patti, A.; Rinaudo, S.; Soci, Fabio; Chini, Alessandro; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
PARASITIC EFFECTS OF BUFFER DESIGN ON STATIC AND DYNAMIC PARAMETERS OF ALGAN/GAN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS 1-gen-2014 Bisi, D.; Stocco, A.; Rossetto, I.; Meneghini, M.; Rampazzo, F.; Chini, A.; Soci, F.; Pantellini, A.; Lanzieri, C.; Gamarra, P.; Lacam, C.; di Forte-Poisson, M. -A.; De Salvador, D.; Bazzan, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Threshold voltage shift investigation and oxide trap profile extraction in AlGaN/GaN MIS-HEMTs 1-gen-2013 Soci, Fabio; Tedaldi, P.; Iucolano, F.; Patti, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Chini, Alessandro
Traps localization and analysis in GaN HEMTs 1-gen-2014 Chini, Alessandro; Soci, Fabio; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.