EnglishGaN on SiC HEMTs fabricated with different gate-connected field plate structures have been tested by means of RF reliability tests. The increase in field-plate length yielded an improvement of both the dynamic and the reliability performance during RF testing. Results are thus suggesting that reliability in field-plate devices can be improved by a proper design of the field-plate geometry.
Impact of field-plate geometry on the reliability of GaN-on-SiC HEMTs / Chini, Alessandro; Soci, Fabio; Fantini, Fausto; Nanni, A.; Pantellini, A.; Lanzieri, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - STAMPA. - 53(9-11)(2013), pp. 1461-1465.
| Data di pubblicazione: | 2013 |
| Titolo: | Impact of field-plate geometry on the reliability of GaN-on-SiC HEMTs |
| Autore/i: | Chini, Alessandro; Soci, Fabio; Fantini, Fausto; Nanni, A.; Pantellini, A.; Lanzieri, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E. |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2013.07.033 |
| Rivista: | |
| Volume: | 53(9-11) |
| Pagina iniziale: | 1461 |
| Pagina finale: | 1465 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000328588000060 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84886876634 |
| Citazione: | Impact of field-plate geometry on the reliability of GaN-on-SiC HEMTs / Chini, Alessandro; Soci, Fabio; Fantini, Fausto; Nanni, A.; Pantellini, A.; Lanzieri, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - STAMPA. - 53(9-11)(2013), pp. 1461-1465. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/980307
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