In this study, we have characterized 5 different GaN-based HEMTs: 3 single-heterostructure (SH) and 2 double- (DH) hetero-structures.
DC and Pulsed Characterization of GaN-based Single- and Double- Heterostructure Devices / Zanandrea, A.; Rampazzo, F.; Stocco, A.; Zanoni, E.; Bisi, D.; Soci, Fabio; Chini, Alessandro; Ivo, P.; Wuerfl, J.; Meneghesso, G.. - (2011). (Intervento presentato al convegno 20th European Workshop on Heterostructure Technology - HETECH 2011 tenutosi a Lille, France nel 7-9 Nov 2011).
DC and Pulsed Characterization of GaN-based Single- and Double- Heterostructure Devices
SOCI, FABIO;CHINI, Alessandro;
2011
Abstract
In this study, we have characterized 5 different GaN-based HEMTs: 3 single-heterostructure (SH) and 2 double- (DH) hetero-structures.
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