SAGUATTI, Davide
 Distribuzione geografica
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Continente #
NA - Nord America 2.095
AS - Asia 982
EU - Europa 659
SA - Sud America 111
Continente sconosciuto - Info sul continente non disponibili 26
AF - Africa 13
OC - Oceania 2
Totale 3.888
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Nazione #
US - Stati Uniti d'America 2.044
SG - Singapore 331
CN - Cina 295
GB - Regno Unito 216
SE - Svezia 96
BR - Brasile 90
VN - Vietnam 84
HK - Hong Kong 83
IT - Italia 82
DE - Germania 73
KR - Corea 44
TR - Turchia 44
RU - Federazione Russa 43
UA - Ucraina 42
FI - Finlandia 31
BD - Bangladesh 30
CA - Canada 28
FR - Francia 23
BG - Bulgaria 13
JP - Giappone 11
IN - India 10
MX - Messico 9
ES - Italia 6
PL - Polonia 6
ZA - Sudafrica 6
AR - Argentina 5
BE - Belgio 5
EC - Ecuador 5
PK - Pakistan 5
TW - Taiwan 5
AE - Emirati Arabi Uniti 4
MY - Malesia 4
NI - Nicaragua 4
CH - Svizzera 3
CL - Cile 3
ID - Indonesia 3
IE - Irlanda 3
IL - Israele 3
IQ - Iraq 3
LT - Lituania 3
PH - Filippine 3
AT - Austria 2
AU - Australia 2
CO - Colombia 2
CW - ???statistics.table.value.countryCode.CW??? 2
DK - Danimarca 2
JM - Giamaica 2
JO - Giordania 2
KE - Kenya 2
LK - Sri Lanka 2
NG - Nigeria 2
PA - Panama 2
PE - Perù 2
PS - Palestinian Territory 2
PY - Paraguay 2
SA - Arabia Saudita 2
TT - Trinidad e Tobago 2
UZ - Uzbekistan 2
VE - Venezuela 2
AM - Armenia 1
AZ - Azerbaigian 1
BA - Bosnia-Erzegovina 1
CR - Costa Rica 1
CY - Cipro 1
DO - Repubblica Dominicana 1
EE - Estonia 1
GD - Grenada 1
GR - Grecia 1
IS - Islanda 1
KH - Cambogia 1
KW - Kuwait 1
KZ - Kazakistan 1
LA - Repubblica Popolare Democratica del Laos 1
LU - Lussemburgo 1
MK - Macedonia 1
NL - Olanda 1
NO - Norvegia 1
NP - Nepal 1
OM - Oman 1
PR - Porto Rico 1
PT - Portogallo 1
RO - Romania 1
SC - Seychelles 1
SN - Senegal 1
TM - Turkmenistan 1
TN - Tunisia 1
Totale 3.864
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Città #
Ashburn 238
Fairfield 171
Santa Clara 170
Singapore 166
Southend 155
Woodbridge 134
Hefei 114
Chandler 113
Council Bluffs 93
Jacksonville 93
San Jose 89
Hong Kong 83
Houston 78
Seattle 67
Ann Arbor 63
Nyköping 63
Cambridge 61
Dearborn 54
Beijing 46
Wilmington 45
Seoul 44
Chicago 39
London 33
Los Angeles 31
New York 29
Izmir 27
Hanoi 26
Shanghai 23
Helsinki 18
Ho Chi Minh City 18
Grafing 17
Eugene 14
Milan 14
The Dalles 14
Princeton 13
Sofia 13
São Paulo 13
San Diego 12
Bremen 11
Moscow 11
Lauterbourg 10
Modena 9
Redwood City 9
Montreal 8
Orem 8
Washington 8
Buffalo 7
Frankfurt am Main 7
Da Nang 6
Dallas 6
Fuzhou 6
Haiphong 6
Columbus 5
Falls Church 5
Johannesburg 5
Kent 5
Miano 5
Phoenix 5
Brantford 4
Chennai 4
Düsseldorf 4
Newark 4
Novafeltria 4
Taipei 4
Tokyo 4
Venice 4
Warsaw 4
Baltimore 3
Bexley 3
Brooklyn 3
Brussels 3
Denver 3
Dublin 3
Glasgow 3
Hillsboro 3
Kyoto 3
Managua 3
Mexico City 3
Miami 3
Nanchang 3
Rio de Janeiro 3
Rome 3
Saint Augustine 3
San Francisco 3
San Mateo 3
Stockholm 3
Toronto 3
Atlanta 2
Augusta 2
Bari 2
Belo Horizonte 2
Boardman 2
Bến Tre 2
Charlotte 2
Chengdu 2
Chiswick 2
Cuneo 2
Curitiba 2
Des Moines 2
Detroit 2
Totale 2.758
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Nome #
Efficiency droop in InGaN/GaN blue light-emitting diodes: Physical mechanisms and remedies 408
A 2.4-GHz wireless alpha-ray sensor for remote monitoring and spectroscopy 388
Investigation of Efficiency-Droop Mechanisms in Multi-Quantum-Well InGaN/GaN Blue Light-Emitting Diodes 325
Fabrication of novel high frequency and high breakdown InAlAs-InGaAs pHEMTs 322
Design and characterization of current-assisted photonic demodulators in 0.18-um CMOS technology 322
Functional test of a Radon sensor based on a high-resistivity-silicon BJT detector 310
TCAD optimization of field-plated InAlAs-InGaAs HEMTs 300
Performance of a Radon Sensor Based on a BJT Detector on High-Resistivity Silicon 274
Design of field-plated InP-based HEMTs 243
Dispositivo per la ripresa di immagini 3D basato su tecnologiaCMOS 180nm e telemetria a modulazione sinusoidale 237
Analysis of efficiency-droop mechanisms in GaN-based light-emitting diodes, related technological solutions and discriminating experiments 227
Improvement of breakdown and DC-to-pulse dispersion properties in field-plated InGaAs-InAlAs pHEMTs 206
Analysis of efficiency-droop mechanisms in single-quantum-well InGaN/GaN light-emitting diodes 200
Tecnologie e Dispositivi a Semiconduttore Avanzati per Applicazioni Optoelettroniche 126
Totale 3.888
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Categoria #
all - tutte 13.507
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 13.507
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Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2021/2022191 0 0 0 5 5 26 12 11 28 15 65 24
2022/2023288 19 45 24 33 30 44 2 34 34 1 8 14
2023/2024145 5 13 16 26 37 20 7 9 4 3 2 3
2024/2025669 24 11 3 44 118 80 43 44 88 13 106 95
2025/20261.076 55 72 113 107 153 50 146 33 124 93 106 24
2026/2027320 30 72 74 144 0 0 0 0 0 0 0 0
Totale 3.888