SAGUATTI, Davide
SAGUATTI, Davide
Dip. SCIENZE E METODI DELL'INGEGNERIA (attivo dal 01/01/1900 al 29/06/2012)
A 2.4-GHz wireless alpha-ray sensor for remote monitoring and spectroscopy
2010 Rovati, Luigi; Verzellesi, Giovanni; Bonaiuti, Matteo; Bidinelli, Luca; Saguatti, Davide; G. F., Dalla Betta; V., Tyzhnevyi; N., Zorzi; S., Bettarini
Analysis of efficiency-droop mechanisms in GaN-based light-emitting diodes, related technological solutions and discriminating experiments
2011 Saguatti, Davide; Verzellesi, Giovanni; M., Meneghini; G., Meneghesso; E., Zanoni; R., Butendeich; B., Hahn
Analysis of efficiency-droop mechanisms in single-quantum-well InGaN/GaN light-emitting diodes
2011 Saguatti, Davide; Verzellesi, Giovanni; Bidinelli, Luca; M., Meneghini; G., Meneghesso; E., Zanoni; R., Butendeich; B., Hahn
Design and characterization of current-assisted photonic demodulators in 0.18-um CMOS technology
2011 G. F., Dalla Betta; S., Donati; Q. D., Hossain; G., Martini; L., Pancheri; Saguatti, Davide; D., Stoppa; Verzellesi, Giovanni
Design of field-plated InP-based HEMTs
2009 Saguatti, Davide; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Fantini, Fausto; Verzellesi, Giovanni; Boulay, S.; Bouloukou, A.; Boudjelida, B.; Missous, M.
Dispositivo per la ripresa di immagini 3D basato su tecnologiaCMOS 180nm e telemetria a modulazione sinusoidale
2010 G. F., Dalla Betta; Q. D., Hossain; S., Donati; G., Martini; M., Fathi; E., Randone; Verzellesi, Giovanni; Saguatti, Davide; D., Stoppa; L., Pancheri; N., Massari
Efficiency droop in InGaN/GaN blue light-emitting diodes: Physical mechanisms and remedies
2013 Verzellesi, Giovanni; Saguatti, Davide; Meneghini, Matteo; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Fabrication of novel high frequency and high breakdown InAlAs-InGaAs pHEMTs
2010 M., Mohamad Isa; Saguatti, Davide; Verzellesi, Giovanni; Chini, Alessandro; K. W., Ian; M., Missous
Functional test of a Radon sensor based on a high-resistivity-silicon BJT detector
2013 G. F., Dalla Betta; V., Tyzhnevyi; A., Bosi; Bonaiuti, Matteo; C., Angelini; G., Batignani; S., Bettarini; F., Bosi; F., Forti; M. A., Giorgi; F., Morsani; E., Paoloni; G., Rizzo; J., Walsh; A., Lusiani; R., Ciolini; G., Curzio; F., D'Errico; A., Del Gratta; Bidinelli, Luca; Rovati, Luigi; Saguatti, Davide; Verzellesi, Giovanni; L., Bosisio; I., Rachevskaia; M., Boscardin; G., Giacomini; A., Picciotto; C., Piemonte; N., Zorzi; M., Calamosca; S., Penzo; F., Cardellini
Improvement of breakdown and DC-to-pulse dispersion properties in field-plated InGaAs-InAlAs pHEMTs
2011 Saguatti, Davide; M., Mohamad Isa; K. W., Ian; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto; M., Missous
Investigation of Efficiency-Droop Mechanisms in Multi-Quantum-Well InGaN/GaN Blue Light-Emitting Diodes
2012 Saguatti, Davide; Bidinelli, Luca; Verzellesi, Giovanni; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Butendeich, Rainer; Hahn, Berthold
Performance of a Radon Sensor Based on a BJT Detector on High-Resistivity Silicon
2012 A., Bosi; Bidinelli, Luca; Saguatti, Davide; G. F., Dalla Betta; V., Tyzhnevyi; Rovati, Luigi; Verzellesi, Giovanni; G., Batignani; S., Bettarini; F., Forti; F., D'Errico; A., Del Gratta; L., Bosisio; I., Rachevskaia; M., Boscardin; G., Giacomini; M., Calamosca; S., Penzo; F., Cardellini
TCAD optimization of field-plated InAlAs-InGaAs HEMTs
2010 Saguatti, Davide; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; M., Mohamad Isa; K. W., Ian; M., Missous
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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A 2.4-GHz wireless alpha-ray sensor for remote monitoring and spectroscopy | 1-gen-2010 | Rovati, Luigi; Verzellesi, Giovanni; Bonaiuti, Matteo; Bidinelli, Luca; Saguatti, Davide; G. F., Dalla Betta; V., Tyzhnevyi; N., Zorzi; S., Bettarini | |
Analysis of efficiency-droop mechanisms in GaN-based light-emitting diodes, related technological solutions and discriminating experiments | 1-gen-2011 | Saguatti, Davide; Verzellesi, Giovanni; M., Meneghini; G., Meneghesso; E., Zanoni; R., Butendeich; B., Hahn | |
Analysis of efficiency-droop mechanisms in single-quantum-well InGaN/GaN light-emitting diodes | 1-gen-2011 | Saguatti, Davide; Verzellesi, Giovanni; Bidinelli, Luca; M., Meneghini; G., Meneghesso; E., Zanoni; R., Butendeich; B., Hahn | |
Design and characterization of current-assisted photonic demodulators in 0.18-um CMOS technology | 1-gen-2011 | G. F., Dalla Betta; S., Donati; Q. D., Hossain; G., Martini; L., Pancheri; Saguatti, Davide; D., Stoppa; Verzellesi, Giovanni | |
Design of field-plated InP-based HEMTs | 1-gen-2009 | Saguatti, Davide; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Fantini, Fausto; Verzellesi, Giovanni; Boulay, S.; Bouloukou, A.; Boudjelida, B.; Missous, M. | |
Dispositivo per la ripresa di immagini 3D basato su tecnologiaCMOS 180nm e telemetria a modulazione sinusoidale | 1-gen-2010 | G. F., Dalla Betta; Q. D., Hossain; S., Donati; G., Martini; M., Fathi; E., Randone; Verzellesi, Giovanni; Saguatti, Davide; D., Stoppa; L., Pancheri; N., Massari | |
Efficiency droop in InGaN/GaN blue light-emitting diodes: Physical mechanisms and remedies | 1-gen-2013 | Verzellesi, Giovanni; Saguatti, Davide; Meneghini, Matteo; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico | |
Fabrication of novel high frequency and high breakdown InAlAs-InGaAs pHEMTs | 1-gen-2010 | M., Mohamad Isa; Saguatti, Davide; Verzellesi, Giovanni; Chini, Alessandro; K. W., Ian; M., Missous | |
Functional test of a Radon sensor based on a high-resistivity-silicon BJT detector | 1-gen-2013 | G. F., Dalla Betta; V., Tyzhnevyi; A., Bosi; Bonaiuti, Matteo; C., Angelini; G., Batignani; S., Bettarini; F., Bosi; F., Forti; M. A., Giorgi; F., Morsani; E., Paoloni; G., Rizzo; J., Walsh; A., Lusiani; R., Ciolini; G., Curzio; F., D'Errico; A., Del Gratta; Bidinelli, Luca; Rovati, Luigi; Saguatti, Davide; Verzellesi, Giovanni; L., Bosisio; I., Rachevskaia; M., Boscardin; G., Giacomini; A., Picciotto; C., Piemonte; N., Zorzi; M., Calamosca; S., Penzo; F., Cardellini | |
Improvement of breakdown and DC-to-pulse dispersion properties in field-plated InGaAs-InAlAs pHEMTs | 1-gen-2011 | Saguatti, Davide; M., Mohamad Isa; K. W., Ian; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Fantini, Fausto; M., Missous | |
Investigation of Efficiency-Droop Mechanisms in Multi-Quantum-Well InGaN/GaN Blue Light-Emitting Diodes | 1-gen-2012 | Saguatti, Davide; Bidinelli, Luca; Verzellesi, Giovanni; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Butendeich, Rainer; Hahn, Berthold | |
Performance of a Radon Sensor Based on a BJT Detector on High-Resistivity Silicon | 1-gen-2012 | A., Bosi; Bidinelli, Luca; Saguatti, Davide; G. F., Dalla Betta; V., Tyzhnevyi; Rovati, Luigi; Verzellesi, Giovanni; G., Batignani; S., Bettarini; F., Forti; F., D'Errico; A., Del Gratta; L., Bosisio; I., Rachevskaia; M., Boscardin; G., Giacomini; M., Calamosca; S., Penzo; F., Cardellini | |
TCAD optimization of field-plated InAlAs-InGaAs HEMTs | 1-gen-2010 | Saguatti, Davide; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; M., Mohamad Isa; K. W., Ian; M., Missous |