ESPOSTO, Michele

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ESPOSTO, Michele

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EX-Dip. INGEGNERIA DELL'INFORMAZIONE-(2001/2012)

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	Titolo	Data di pubblicazione	Autore(i)
1	Analytical Model for Power Switching GaN-Based HEMT Design	2011	Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Rajan, S.
2	Characterization and Numerical Simulations of High Power Field-Plated pHEMTs	2008	Chini, Alessandro; Esposto, Michele; Verzellesi, Giovanni; S., Lavanga; C., Lanzieri; A., Cetronio
3	Comparison of Cu-gate and Ni/Au-gate GaN HEMTs large signal characteristics	2009	Esposto, Michele; DI LECCE, Valerio; Chini, Alessandro; De Guido, S.; Passaseo, A.; De Vittorio, M.
4	Correlation between DC and rf degradation due to deep levels in AlGaN/GaN HEMTs	2009	Chini, Alessandro; Fantini, Fausto; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Stocco, A.; Ronchi, N.; Zanon, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
5	Design of field-plated InP-based HEMTs	2009	Saguatti, Davide; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Fantini, Fausto; Verzellesi, Giovanni; Boulay, S.; Bouloukou, A.; Boudjelida, B.; Missous, M.
6	Design of GaN HEMTs for Power Switching Operation	2010	Esposto, Michele; Park, P. S.; Nath, D. N.; Krishnamoorty, S.; Akyol, F.; Di Lecce, Valerio; Chini, Alessandro; Rajan, S.
7	Evaluation and Numerical Simulations of GaN HEMTs Electrical Degradation	2009	Chini, Alessandro; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
8	Evaluation of GaN HEMT degradation by means of pulsed I-V, leakage and DLTS measurements	2009	Chini, Alessandro; Esposto, Michele; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
9	Experimental and simulated dc degradation of GaN HEMTs by means of gate-drain and gate-source reverse bias stress	2010	Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro
10	GaN Hemt Degradation induced by Reverse Gate Bias Stress	2009	Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Tazzoli, A.; Ronchi, N.; Stocco, A.; Zanoni, E.; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro
11	Influence of Device Self-Heating on the Activation Energy Extraction During Current-DLTS Measurement	2008	Chini, Alessandro; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Verzellesi, Giovanni; Zanon, F.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
12	Influence of interface states at Schottky junction on the large signal behaviour of Cu-gate standard AlGaN/GaN HEMTs	2009	Esposto, Michele; DI LECCE, Valerio; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Verzellesi, Giovanni; De Guido, S.; De Vittorio, M.; Passaseo, A.; Chini, Alessandro
13	The influence of interface states at the Schottky junction on the large signal behavior of copper-gate GaN HEMTs	2013	Esposto, Michele; Di Lecce, Valerio; Bonaiuti, Matteo; Chini, Alessandro
14	Influence of RF drive and switching frequency on degradation mechanisms in GaN HEMTs	2009	Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
15	An Investigation of the Electrical Degradation of GaN High-Electron-Mobility Transistors by Numerical Simulations of DC Characteristics and Scattering Parameters	2011	Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Chini, Alessandro
16	Reverse gate bias stress induced degradation of GaN HEMT	2009	Zanoni, E.; Meneghini, M.; Tazzoli, A.; Ronchi, N.; Stocco, A.; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.
17	RF degradation of GaN HEMTs and its correlation with DC stress and I-DLTS measurements	2009	Chini, Alessandro; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
18	Study of GaN HEMTs degradation by numerical simulations of scattering parameters	2010	Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro
19	Study of GaN HEMTs electrical degradation by means of numerical simulations	2010	DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro
20	Trapping phenomena in field-plated high power GaAs pHEMTs	2008	Chini, Alessandro; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Verzellesi, Giovanni; Lavanga, S.; Cetronio, A.; Lanzieri, C.