ESPOSTO, Michele
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ESPOSTO, Michele
EX-Dip. INGEGNERIA DELL'INFORMAZIONE-(2001/2012)
Pubblicazioni
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Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | |
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1 | Analytical Model for Power Switching GaN-Based HEMT Design | 2011 | Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Rajan, S. |
2 | Characterization and Numerical Simulations of High Power Field-Plated pHEMTs | 2008 | Chini, Alessandro; Esposto, Michele; Verzellesi, Giovanni; S., Lavanga; C., Lanzieri; A., Cetronio |
3 | Comparison of Cu-gate and Ni/Au-gate GaN HEMTs large signal characteristics | 2009 | Esposto, Michele; DI LECCE, Valerio; Chini, Alessandro; De Guido, S.; Passaseo, A.; De Vittorio, M. |
4 | Correlation between DC and rf degradation due to deep levels in AlGaN/GaN HEMTs | 2009 | Chini, Alessandro; Fantini, Fausto; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Stocco, A.; Ronchi, N.; Zanon, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E. |
5 | Design of field-plated InP-based HEMTs | 2009 | Saguatti, Davide; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Fantini, Fausto; Verzellesi, Giovanni; Boulay, S.; Bouloukou, A.; Boudjelida, B.; Missous, M. |
6 | Design of GaN HEMTs for Power Switching Operation | 2010 | Esposto, Michele; Park, P. S.; Nath, D. N.; Krishnamoorty, S.; Akyol, F.; Di Lecce, Valerio; Chini, Alessandro; Rajan, S. |
7 | Evaluation and Numerical Simulations of GaN HEMTs Electrical Degradation | 2009 | Chini, Alessandro; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Meneghesso, G.; Zanoni, E. |
8 | Evaluation of GaN HEMT degradation by means of pulsed I-V, leakage and DLTS measurements | 2009 | Chini, Alessandro; Esposto, Michele; Meneghesso, G.; Zanoni, E. |
9 | Experimental and simulated dc degradation of GaN HEMTs by means of gate-drain and gate-source reverse bias stress | 2010 | Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro |
10 | GaN Hemt Degradation induced by Reverse Gate Bias Stress | 2009 | Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Tazzoli, A.; Ronchi, N.; Stocco, A.; Zanoni, E.; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro |
11 | Influence of Device Self-Heating on the Activation Energy Extraction During Current-DLTS Measurement | 2008 | Chini, Alessandro; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Verzellesi, Giovanni; Zanon, F.; Zanoni, E.; Meneghesso, G. |
12 | Influence of interface states at Schottky junction on the large signal behaviour of Cu-gate standard AlGaN/GaN HEMTs | 2009 | Esposto, Michele; DI LECCE, Valerio; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Verzellesi, Giovanni; De Guido, S.; De Vittorio, M.; Passaseo, A.; Chini, Alessandro |
13 | The influence of interface states at the Schottky junction on the large signal behavior of copper-gate GaN HEMTs | 2013 | Esposto, Michele; Di Lecce, Valerio; Bonaiuti, Matteo; Chini, Alessandro |
14 | Influence of RF drive and switching frequency on degradation mechanisms in GaN HEMTs | 2009 | Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E. |
15 | An Investigation of the Electrical Degradation of GaN High-Electron-Mobility Transistors by Numerical Simulations of DC Characteristics and Scattering Parameters | 2011 | Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Chini, Alessandro |
16 | Reverse gate bias stress induced degradation of GaN HEMT | 2009 | Zanoni, E.; Meneghini, M.; Tazzoli, A.; Ronchi, N.; Stocco, A.; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Meneghesso, G. |
17 | RF degradation of GaN HEMTs and its correlation with DC stress and I-DLTS measurements | 2009 | Chini, Alessandro; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Meneghesso, G.; Zanoni, E. |
18 | Study of GaN HEMTs degradation by numerical simulations of scattering parameters | 2010 | Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro |
19 | Study of GaN HEMTs electrical degradation by means of numerical simulations | 2010 | DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro |
20 | Trapping phenomena in field-plated high power GaAs pHEMTs | 2008 | Chini, Alessandro; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Verzellesi, Giovanni; Lavanga, S.; Cetronio, A.; Lanzieri, C. |