ESPOSTO, Michele

ESPOSTO, Michele  

Dip. INGEGNERIA DELL'INFORMAZIONE (attivo dal 16/07/2001 al 29/06/2012)  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Analytical Model for Power Switching GaN-Based HEMT Design 1-gen-2011 Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Rajan, S.
Characterization and Numerical Simulations of High Power Field-Plated pHEMTs 1-gen-2008 Chini, Alessandro; Esposto, Michele; Verzellesi, Giovanni; S., Lavanga; C., Lanzieri; A., Cetronio
Comparison of Cu-gate and Ni/Au-gate GaN HEMTs large signal characteristics 1-gen-2009 Esposto, Michele; DI LECCE, Valerio; Chini, Alessandro; De Guido, S.; Passaseo, A.; De Vittorio, M.
Correlation between DC and rf degradation due to deep levels in AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2009 Chini, Alessandro; Fantini, Fausto; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Stocco, A.; Ronchi, N.; Zanon, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Design of field-plated InP-based HEMTs 1-gen-2009 Saguatti, Davide; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Fantini, Fausto; Verzellesi, Giovanni; Boulay, S.; Bouloukou, A.; Boudjelida, B.; Missous, M.
Design of GaN HEMTs for Power Switching Operation 1-gen-2010 Esposto, Michele; Park, P. S.; Nath, D. N.; Krishnamoorty, S.; Akyol, F.; DI LECCE, Valerio; Chini, Alessandro; Rajan, S.
Evaluation and Numerical Simulations of GaN HEMTs Electrical Degradation 1-gen-2009 Chini, Alessandro; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Evaluation of GaN HEMT degradation by means of pulsed I-V, leakage and DLTS measurements 1-gen-2009 Chini, Alessandro; Esposto, Michele; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Experimental and simulated dc degradation of GaN HEMTs by means of gate-drain and gate-source reverse bias stress 1-gen-2010 DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro
GaN Hemt Degradation induced by Reverse Gate Bias Stress 1-gen-2009 Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Tazzoli, A.; Ronchi, N.; Stocco, A.; Zanoni, E.; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro
Influence of Device Self-Heating on the Activation Energy Extraction During Current-DLTS Measurement 1-gen-2008 Chini, Alessandro; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Verzellesi, Giovanni; Zanon, F.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Influence of interface states at Schottky junction on the large signal behaviour of Cu-gate standard AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2009 Esposto, Michele; DI LECCE, Valerio; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Verzellesi, Giovanni; De Guido, S.; De Vittorio, M.; Passaseo, A.; Chini, Alessandro
The influence of interface states at the Schottky junction on the large signal behavior of copper-gate GaN HEMTs 1-gen-2013 Esposto, Michele; Di Lecce, Valerio; Bonaiuti, Matteo; Chini, Alessandro
Influence of RF drive and switching frequency on degradation mechanisms in GaN HEMTs 1-gen-2009 DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
An Investigation of the Electrical Degradation of GaN High-Electron-Mobility Transistors by Numerical Simulations of DC Characteristics and Scattering Parameters 1-gen-2011 DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Chini, Alessandro
Reverse gate bias stress induced degradation of GaN HEMT 1-gen-2009 Zanoni, E.; Meneghini, M.; Tazzoli, A.; Ronchi, N.; Stocco, A.; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.
RF degradation of GaN HEMTs and its correlation with DC stress and I-DLTS measurements 1-gen-2009 Chini, Alessandro; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Study of GaN HEMTs degradation by numerical simulations of scattering parameters 1-gen-2010 DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro
Study of GaN HEMTs electrical degradation by means of numerical simulations 1-gen-2010 DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro
Trapping phenomena in field-plated high power GaAs pHEMTs 1-gen-2008 Chini, Alessandro; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Verzellesi, Giovanni; Lavanga, S.; Cetronio, A.; Lanzieri, C.