The degradation mechanisms induced in GaN-based HEMTs when reverse gate-bias stress are applied have been presented and discussed.
GaN Hemt Degradation induced by Reverse Gate Bias Stress / Meneghesso, G., Meneghini, M., Tazzoli, A., Ronchi, N., Stocco, A., Zanoni, E., Di Lecce, V., Esposto, M., Chini, A.. - (2009), pp. 945-946. (The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009) Jeju Island (ICC Jeju), Korea 18 -23 October 2009.).
GaN Hemt Degradation induced by Reverse Gate Bias Stress
DI LECCE, Valerio;ESPOSTO, Michele;CHINI, Alessandro
2009
Abstract
The degradation mechanisms induced in GaN-based HEMTs when reverse gate-bias stress are applied have been presented and discussed.
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