DI LECCE, Valerio

DI LECCE, Valerio  

Dipartimento di Scienze e Metodi dell'Ingegneria  

Mostra records
Risultati 1 - 20 di 23 (tempo di esecuzione: 0.032 secondi).
Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Analysis of GaN HEMT Failure Mechanisms During DC and Large-Signal RF Operation 1-gen-2012 Chini, Alessandro; DI LECCE, Valerio; Fantini, Fausto; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Built-In Bias Generation in Anti-Ferroelectric Stacks: Methods and Device Applications 1-gen-2018 Pesic, M.; Li, T.; Di Lecce, V.; Hoffmann, M.; Materano, M.; Richter, C.; Max, B.; Slesazeck, S.; Schroeder, U.; Larcher, L.; Mikolajick, T.
Comparison of Cu-gate and Ni/Au-gate GaN HEMTs large signal characteristics 1-gen-2009 Esposto, Michele; DI LECCE, Valerio; Chini, Alessandro; De Guido, S.; Passaseo, A.; De Vittorio, M.
Correlation between DC and rf degradation due to deep levels in AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2009 Chini, Alessandro; Fantini, Fausto; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Stocco, A.; Ronchi, N.; Zanon, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Design of field-plated InP-based HEMTs 1-gen-2009 Saguatti, Davide; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Fantini, Fausto; Verzellesi, Giovanni; Boulay, S.; Bouloukou, A.; Boudjelida, B.; Missous, M.
Design of GaN HEMTs for Power Switching Operation 1-gen-2010 Esposto, Michele; Park, P. S.; Nath, D. N.; Krishnamoorty, S.; Akyol, F.; DI LECCE, Valerio; Chini, Alessandro; Rajan, S.
Evaluation and Numerical Simulations of GaN HEMTs Electrical Degradation 1-gen-2009 Chini, Alessandro; Di Lecce, Valerio; Esposto, Michele; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Experimental and numerical correlation between current-collapse and fe-doping profiles in GaN HEMTs 1-gen-2012 Chini, Alessandro; DI LECCE, Valerio; Soci, Fabio; D., Bisi; A., Stocco; M., Meneghini; G., Meneghesso; E., Zanoni; A., Gasparotto
Experimental and simulated dc degradation of GaN HEMTs by means of gate-drain and gate-source reverse bias stress 1-gen-2010 DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro
GaN Hemt Degradation induced by Reverse Gate Bias Stress 1-gen-2009 Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Tazzoli, A.; Ronchi, N.; Stocco, A.; Zanoni, E.; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro
Influence of interface states at Schottky junction on the large signal behaviour of Cu-gate standard AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2009 Esposto, Michele; DI LECCE, Valerio; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Verzellesi, Giovanni; De Guido, S.; De Vittorio, M.; Passaseo, A.; Chini, Alessandro
The influence of interface states at the Schottky junction on the large signal behavior of copper-gate GaN HEMTs 1-gen-2013 Esposto, Michele; Di Lecce, Valerio; Bonaiuti, Matteo; Chini, Alessandro
Influence of RF drive and switching frequency on degradation mechanisms in GaN HEMTs 1-gen-2009 DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
An Investigation of the Electrical Degradation of GaN High-Electron-Mobility Transistors by Numerical Simulations of DC Characteristics and Scattering Parameters 1-gen-2011 DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Chini, Alessandro
Metal-oxide barrier extraction by Fowler-Nordheim tunnelling onset in Al2O3-on-GaN MOS diodes 1-gen-2012 Di Lecce, Valerio; Krishnamoorthy, S.; Esposto, M.; Hung, T. H.; Chini, Alessandro; Rajan, S.
Multiscale Modeling of Ferroelectric Memories: Insights into Performances and Reliability 1-gen-2018 Pesiu, M.; Di Lecce, V.; Pramanik, D.; Larcher, L.
Multiscale modeling of neuromorphic computing: From materials to device operations 1-gen-2018 Larcher, L.; Padovani, A.; Di Lecce, V.
Physical and circuit modeling of HfO2 based ferroelectric memories and devices 1-gen-2018 Pesic, M.; Di Lecce, V.; Hoffmann, M.; Mulaosmanovic, H.; Max, B.; Schroeder, U.; Slesazeck, S.; Larcher, L.; Mikolajick, T.
Reverse gate bias stress induced degradation of GaN HEMT 1-gen-2009 Zanoni, E.; Meneghini, M.; Tazzoli, A.; Ronchi, N.; Stocco, A.; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.
RF degradation of GaN HEMTs and its correlation with DC stress and I-DLTS measurements 1-gen-2009 Chini, Alessandro; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Meneghesso, G.; Zanoni, E.