EnglishResults obtained by current-DLTS measurements on GaN-based HEMTs are presented. It is shown that device self-heating can significantly influence the extraction of trap ionization energy leading to a large underestimation of the latter.
| Data di pubblicazione: | 2008 |
| Autori: | Chini, A.; Esposto, M.; Bonaiuti, M.; Verzellesi, G.; Zanon, F.; Zanoni, E.; Meneghesso, G. |
| Titolo: | Influence of Device Self-Heating on the Activation Energy Extraction During Current-DLTS Measurement |
| Appare nelle tipologie: | Abstract in Atti di Convegno |
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