BONAIUTI, Matteo

BONAIUTI, Matteo  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
A 2.4-GHz wireless alpha-ray sensor for remote monitoring and spectroscopy 1-gen-2010 Rovati, Luigi; Verzellesi, Giovanni; Bonaiuti, Matteo; Bidinelli, Luca; Saguatti, Davide; G. F., Dalla Betta; V., Tyzhnevyi; N., Zorzi; S., Bettarini
A Novel Inertial/RFID Based Localization Method for Autonomous Lawnmowers 1-gen-2012 Levratti, Alessio; Bonaiuti, Matteo; Secchi, Cristian; Fantuzzi, Cesare
Alpha-particle detection based on the BJT detector and simple, IC-based readout electronics 1-gen-2009 Rovati, Luigi; S., Bettarini; Bonaiuti, Matteo; L., Bosisio; G. F., Dalla Betta; V., Tyzhnevyi; Verzellesi, Giovanni; N., Zorzi
An Investigation of the Electrical Degradation of GaN High-Electron-Mobility Transistors by Numerical Simulations of DC Characteristics and Scattering Parameters 1-gen-2011 DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Chini, Alessandro
Application of the BJT Detector for Simple, Low-Cost, and Low-Power Alpha-Particle Detection Systems 1-gen-2007 Verzellesi, Giovanni; G., Batignani; Bonaiuti, Matteo; L., Bosisio; G. F., DALLA BETTA; G., Giacomini; C., Piemonte; Rovati, Luigi; N., Zorzi
Experimental and simulated dc degradation of GaN HEMTs by means of gate-drain and gate-source reverse bias stress 1-gen-2010 DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro
Functional test of a Radon sensor based on a high-resistivity-silicon BJT detector 1-gen-2013 G. F., Dalla Betta; V., Tyzhnevyi; A., Bosi; Bonaiuti, Matteo; C., Angelini; G., Batignani; S., Bettarini; F., Bosi; F., Forti; M. A., Giorgi; F., Morsani; E., Paoloni; G., Rizzo; J., Walsh; A., Lusiani; R., Ciolini; G., Curzio; F., D'Errico; A., Del Gratta; Bidinelli, Luca; Rovati, Luigi; Saguatti, Davide; Verzellesi, Giovanni; L., Bosisio; I., Rachevskaia; M., Boscardin; G., Giacomini; A., Picciotto; C., Piemonte; N., Zorzi; M., Calamosca; S., Penzo; F., Cardellini
Influence of Device Self-Heating on the Activation Energy Extraction During Current-DLTS Measurement 1-gen-2008 Chini, Alessandro; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Verzellesi, Giovanni; Zanon, F.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Influence of interface states at Schottky junction on the large signal behaviour of Cu-gate standard AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2009 Esposto, Michele; DI LECCE, Valerio; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Verzellesi, Giovanni; De Guido, S.; De Vittorio, M.; Passaseo, A.; Chini, Alessandro
Influence of RF drive and switching frequency on degradation mechanisms in GaN HEMTs 1-gen-2009 DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Radon alpha-ray detector based on a high-resistivity-silicon BJT and a low-cost readout electronics 1-gen-2008 Rovati, Luigi; Verzellesi, Giovanni; Bonaiuti, Matteo; G., Batignani; L., Bosisio; G. F., Dalla Betta; G., Giacomini; C., Piemonte; N., Zorzi
Study of GaN HEMTs electrical degradation by means of numerical simulations 1-gen-2010 DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Bonaiuti, Matteo; Fantini, Fausto; Chini, Alessandro
The influence of interface states at the Schottky junction on the large signal behavior of copper-gate GaN HEMTs 1-gen-2013 Esposto, Michele; Di Lecce, Valerio; Bonaiuti, Matteo; Chini, Alessandro