Sfoglia per Serie  

Opzioni
Vai a: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
Mostrati risultati da 27 a 30 di 30
Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
A scaled replacement metal gate InGaAs-on-Insulator n-FinFET on Si with record performance 1-gen-2017 Hahn, H.; Deshpande, V.; Caruso, E.; Sant, S.; O'Connor, E.; Baumgartner, Y.; Sousa, M.; Caimi, D.; Olziersky, A.; Palestri, P.; Selmi, L.; Schenk, A.; Czornomaz, L.
Simulation analysis of III-V n-MOSFETs: channel materials, Fermi level pinning and biaxial strain 1-gen-2015 Caruso, Enrico; Lizzit, Daniel; Osgnach, Patrik; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca
A simulation study of strain induced performance enhancements in InAs nanowire Tunnel-FETs 1-gen-2011 Conzatti, Francesco; M. G., Pala; Esseni, David; E., Bano; Selmi, Luca
Trapping and High Field Related Issues in GaN Power HEMTs 1-gen-2014 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Zanoni, Enrico
Mostrati risultati da 27 a 30 di 30
Legenda icone

  •  file ad accesso aperto
  •  file disponibili sulla rete interna
  •  file disponibili agli utenti autorizzati
  •  file disponibili solo agli amministratori
  •  file sotto embargo
  •  nessun file disponibile