EnglishStudy of low field electron transport in ultra-thin single and double gate SOI MOSFETs / Esseni, David; Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico. - STAMPA. - (2002), pp. 719-722. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Electron Device Meeting nel Dec. 2002.
| Data di pubblicazione: | 2002 | |
| Titolo: | Study of low field electron transport in ultra-thin single and double gate SOI MOSFETs | |
| Autore/i: | Esseni, David; Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0036923505 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000185143400165 | |
| Nome del convegno: | IEEE International Electron Device Meeting | |
| Data del convegno: | Dec. 2002 | |
| Pagina iniziale: | 719 | |
| Pagina finale: | 722 | |
| Citazione: | Study of low field electron transport in ultra-thin single and double gate SOI MOSFETs / Esseni, David; Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico. - STAMPA. - (2002), pp. 719-722. ((Intervento presentato al convegno IEEE International Electron Device Meeting nel Dec. 2002. | |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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http://hdl.handle.net/11380/1163272
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