A scaled replacement metal gate InGaAs-on-Insulator n-FinFET on Si with record performance / Hahn, H.; Deshpande, V.; Caruso, E.; Sant, S.; O'Connor, E.; Baumgartner, Y.; Sousa, M.; Caimi, D.; Olziersky, A.; Palestri, P.; Selmi, L.; Schenk, A.; Czornomaz, L.. - (2017), pp. 17.5.1-17.5.4. (Intervento presentato al convegno 63rd IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2017 tenutosi a San Francisco, CA nel DEC 02-06, 2017) [10.1109/IEDM.2017.8268410].
A scaled replacement metal gate InGaAs-on-Insulator n-FinFET on Si with record performance
Palestri, P.;Selmi, L.;
2017
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