Sfoglia per Autore
Influence of substrate on the performance of semi-insulating GaAs detectors
2000 R., Baldini; P., Vanni; Nava, Filippo; Canali, Claudio; C., Lanzieri
Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes
2001 Nava, Filippo; P., Vanni; Verzellesi, Giovanni; A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; R., Nipoti; C., Donolato
Epitaxial silicon carbide for X-ray detection
2001 G., Bertuccio; R., Casiraghi; Nava, Filippo
Characterisation of silicon carbide detectors response to electron and photon irradiation
2001 M., Bruzzi; Nava, Filippo; S., Russo; S., Sciortino; P., Vanni
Investigation on the charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode detector
2002 Verzellesi, Giovanni; Vanni, Paolo; Nava, Filippo; Canali, Claudio
Double-junction effect in proton-irradiated silicon diodes
2002 A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; Canali, Claudio; Nava, Filippo
Deep levels in silicon carbide Schottky diodes
2002 A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; Nava, Filippo; Canali, Claudio; C., Lanzieri
Electric field distribution in irradiated silicon detectors
2002 A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; Nava, Filippo; Canali, Claudio
Radiation tolerance of epitaxial silicon carbide detectors for electrons, protons and gamma-rays
2003 Nava, Filippo; E., Vittone; P., Vanni; Verzellesi, Giovanni; Pg, Fuochi; C., Lanzieri; M., Glaser
Effect of heavy proton and neutron irradiations on epitaxial 4H-SiC Schottky diodes
2005 S., Sciortino; F., Hartjes; S., Lagomarsino; Nava, Filippo; M., Brianzi; V., Cindro; C., Lanzieri; M., Moll; P., Vanni
Silicon carbide for alpha, beta, ion and soft X-ray high performance detectors
2005 Bertuccio, G; Binetti, S; Caccia, S; Casiraghi, R; Castaldini, A; Cavallini, A; Lanzieri, C; Le Donne, A; Nava, Filippo; Pizzini, S; Rigutti, L; Verzellesi, Giovanni; Vittone, E.
Radiation detection properties of 4H-SiC Schottky diodes irradiated up to 10(16) n/cm(2) by 1 MeV neutrons
2006 Nava, Filippo; A., Castaldini; A., Cavallini; P., Errani; V., Cindro
Silicon Carbide and its use as a radiation detector material
2008 Nava, Filippo; G., Bertuccio; A., Cavallini; E., Vittone
On the UV responsivity of neutron irradiated 4H-SiC
2008 Anna, Cavallini; Antonio, Castaldini; Nava, Filippo
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
---|---|---|---|
Influence of substrate on the performance of semi-insulating GaAs detectors | 1-gen-2000 | R., Baldini; P., Vanni; Nava, Filippo; Canali, Claudio; C., Lanzieri | |
Charge particle detection properties of epitaxial 4H-SiC Schottky diodes | 1-gen-2001 | Nava, Filippo; P., Vanni; Verzellesi, Giovanni; A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; R., Nipoti; C., Donolato | |
Epitaxial silicon carbide for X-ray detection | 1-gen-2001 | G., Bertuccio; R., Casiraghi; Nava, Filippo | |
Characterisation of silicon carbide detectors response to electron and photon irradiation | 1-gen-2001 | M., Bruzzi; Nava, Filippo; S., Russo; S., Sciortino; P., Vanni | |
Investigation on the charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode detector | 1-gen-2002 | Verzellesi, Giovanni; Vanni, Paolo; Nava, Filippo; Canali, Claudio | |
Double-junction effect in proton-irradiated silicon diodes | 1-gen-2002 | A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; Canali, Claudio; Nava, Filippo | |
Deep levels in silicon carbide Schottky diodes | 1-gen-2002 | A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; Nava, Filippo; Canali, Claudio; C., Lanzieri | |
Electric field distribution in irradiated silicon detectors | 1-gen-2002 | A., Castaldini; A., Cavallini; L., Polenta; Nava, Filippo; Canali, Claudio | |
Radiation tolerance of epitaxial silicon carbide detectors for electrons, protons and gamma-rays | 1-gen-2003 | Nava, Filippo; E., Vittone; P., Vanni; Verzellesi, Giovanni; Pg, Fuochi; C., Lanzieri; M., Glaser | |
Effect of heavy proton and neutron irradiations on epitaxial 4H-SiC Schottky diodes | 1-gen-2005 | S., Sciortino; F., Hartjes; S., Lagomarsino; Nava, Filippo; M., Brianzi; V., Cindro; C., Lanzieri; M., Moll; P., Vanni | |
Silicon carbide for alpha, beta, ion and soft X-ray high performance detectors | 1-gen-2005 | Bertuccio, G; Binetti, S; Caccia, S; Casiraghi, R; Castaldini, A; Cavallini, A; Lanzieri, C; Le Donne, A; Nava, Filippo; Pizzini, S; Rigutti, L; Verzellesi, Giovanni; Vittone, E. | |
Radiation detection properties of 4H-SiC Schottky diodes irradiated up to 10(16) n/cm(2) by 1 MeV neutrons | 1-gen-2006 | Nava, Filippo; A., Castaldini; A., Cavallini; P., Errani; V., Cindro | |
Silicon Carbide and its use as a radiation detector material | 1-gen-2008 | Nava, Filippo; G., Bertuccio; A., Cavallini; E., Vittone | |
On the UV responsivity of neutron irradiated 4H-SiC | 1-gen-2008 | Anna, Cavallini; Antonio, Castaldini; Nava, Filippo |
Legenda icone
- file ad accesso aperto
- file disponibili sulla rete interna
- file disponibili agli utenti autorizzati
- file disponibili solo agli amministratori
- file sotto embargo
- nessun file disponibile