Modelling nanoscale n-MOSFETs with III-V compound semiconductor channels: From advanced models for band structures, electrostatics and transport to TCAD

Caruso, E.; Carapezzi, S.; Visciarelli, M.; Gnani, E.; Zagni, N.; Pavan, P.; Palestri, P.; Esseni, D.; Gnudi, A.; Reggiani, S.; Puglisi, F. M.; Verzellesi, G.; Selmi, L

doi:10.1109/IEDM.2017.8268384

We review a few state of the art solutions and recent developments to model short channel III-V compound semiconductor n-MOSFETs based on full quantum transport, semiclassical multi-valley / multi-subband transport and TCAD models. The pros and cons of each, and the insights they can deliver, are illustrated with examples from recent technology developments and literature. Areas where improvements and implementations at TCAD level are most necessary are highlighted as well.

We review a few state of the art solutions and recent developments to model short channel III-V compound semiconductor n-MOSFETs based on full quantum transport, semiclassical multi-valley/multi-subband transport and TCAD models. The pros and cons of each, and the insights they can deliver, are illustrated with examples from recent technology developments and literature. Areas where improvements and implementations at TCAD level are most necessary are highlighted as well.

Modelling nanoscale n-MOSFETs with III-V compound semiconductor channels: From advanced models for band structures, electrostatics and transport to TCAD / Caruso, E.; Carapezzi, S.; Visciarelli, M.; Gnani, E.; Zagni, N.; Pavan, P.; Palestri, P.; Esseni, D.; Gnudi, A.; Reggiani, S.; Puglisi, F. M.; Verzellesi, G.; Selmi, L. - 134366(2017), pp. 322-325. ((Intervento presentato al convegno 63rd IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2017 tenutosi a San Francisco, CA, USA nel 2-6 Dec. 2017 [10.1109/IEDM.2017.8268384].

Data di pubblicazione:	2017
Titolo:	Modelling nanoscale n-MOSFETs with III-V compound semiconductor channels: From advanced models for band structures, electrostatics and transport to TCAD
Autore/i:	Caruso, E.; Carapezzi, S.; Visciarelli, M.; Gnani, E.; Zagni, N.; Pavan, P.; Palestri, P.; Esseni, D.; Gnudi, A.; Reggiani, S.; Puglisi, F. M.; Verzellesi, G.; Selmi, L
Autore/i UNIMORE:	Caruso, E. Carapezzi, S. Visciarelli, M. Gnani, E. ZAGNI, NICOLO' PAVAN, Paolo Palestri, P. Esseni, D. Gnudi, A. Reggiani, S. PUGLISI, Francesco Maria VERZELLESI, Giovanni SELMI, LUCA mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/IEDM.2017.8268384
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-85045186482
Codice identificativo ISI:	WOS:000424868900078
Nome del convegno:	63rd IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2017
Luogo del convegno:	San Francisco, CA, USA
Data del convegno:	2-6 Dec. 2017
Volume:	134366
Pagina iniziale:	322
Pagina finale:	325
Citazione:	Modelling nanoscale n-MOSFETs with III-V compound semiconductor channels: From advanced models for band structures, electrostatics and transport to TCAD / Caruso, E.; Carapezzi, S.; Visciarelli, M.; Gnani, E.; Zagni, N.; Pavan, P.; Palestri, P.; Esseni, D.; Gnudi, A.; Reggiani, S.; Puglisi, F. M.; Verzellesi, G.; Selmi, L. - 134366(2017), pp. 322-325. ((Intervento presentato al convegno 63rd IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2017 tenutosi a San Francisco, CA, USA nel 2-6 Dec. 2017 [10.1109/IEDM.2017.8268384].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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