CARUSO, EMANUELE

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CARUSO, EMANUELE

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Modelling nanoscale n-MOSFETs with III-V compound semiconductor channels: From advanced models for band structures, electrostatics and transport to TCAD

2017 Selmi, L.; Caruso, E.; Carapezzi, S.; Visciarelli, M.; Gnani, E.; Zagni, N.; Pavan, P.; Palestri, P.; Esseni, D.; Gnudi, A.; Reggiani, S.; Puglisi, F. M.; Verzellesi, G.

Titolo	Data di pubblicazione	Autore(i)	File
Modelling nanoscale n-MOSFETs with III-V compound semiconductor channels: From advanced models for band structures, electrostatics and transport to TCAD	1-gen-2017	Selmi, L.; Caruso, E.; Carapezzi, S.; Visciarelli, M.; Gnani, E.; Zagni, N.; Pavan, P.; Palestri, P.; Esseni, D.; Gnudi, A.; Reggiani, S.; Puglisi, F. M.; Verzellesi, G.